WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2008093676) 電子銃蒸着装置及び電子銃蒸着装置を用いた成膜方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/093676    国際出願番号:    PCT/JP2008/051311
国際公開日: 07.08.2008 国際出願日: 29.01.2008
IPC:
C23C 14/30 (2006.01), G21K 5/04 (2006.01), H01J 37/20 (2006.01)
出願人: CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAYAMA, Masato [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAYAMA, Masato; (JP)
代理人: OHTSUKA, Yasunori; 7th FL., KIOICHO PARK BLDG. 3-6, KIOICHO, CHIYODA-KU Tokyo 1020094 (JP)
優先権情報:
2007-018694 30.01.2007 JP
発明の名称: (EN) E-GUN DEPOSITION DEVICE AND FILM FORMATION METHOD USING E-GUN DEPOSITION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉPÔT PAR CANON À ÉLECTRONS ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM AU MOYEN DE CE DISPOSITIF DE DÉPÔT PAR CANON À ÉLECTRONS
(JA) 電子銃蒸着装置及び電子銃蒸着装置を用いた成膜方法
要約: front page image
(EN)Provided is an E-gun deposition device which can effectively use an evaporation source. The E-gun deposition device includes an electron beam position control unit which controls the application range of an electron beam applied to the evaporation source according to information on the electron beam application position and the film thickness growth speed in the electron beam application position, so that distribution of the film thickness speed is substantially constant.
(FR)L'invention concerne un dispositif de dépôt par canon à électrons qui peut efficacement utiliser une source d'évaporation. Le dispositif de dépôt par canon à électrons comprend une unité de commande de position de faisceau d'électrons qui commande la plage d'application d'un faisceau d'électrons appliqué à la source d'évaporation, selon des informations sur la position d'application du faisceau d'électrons et la vitesse de développement d'épaisseur de film dans la position d'application de faisceau d'électrons, de telle sorte que la distribution de la vitesse d'épaisseur de film soit sensiblement constante.
(JA) 蒸発源を効率よく使用できることが可能な電子銃蒸着装置は、電子ビームの照射位置と、電子ビームの照射位置における膜厚成長速度とに関する情報に基づき、坩堝中の蒸発源に照射される電子ビームの照射位置が電子ビームのそれぞれの走査方向に関して膜厚成長速度の分布が略一定となる範囲を照射可能範囲として決定する電子ビーム位置制御部を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)