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1. (WO2008093586) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/093586    国際出願番号:    PCT/JP2008/050952
国際公開日: 07.08.2008 国際出願日: 24.01.2008
IPC:
H01L 23/50 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-Cho, Ukyo-Ku, Kyoto-Shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KASUYA, Yasumasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAGA, Motoharu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YASUNAGA, Shoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KASUYA, Yasumasa; (JP).
HAGA, Motoharu; (JP).
YASUNAGA, Shoji; (JP)
代理人: SANO, Shizuo; Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5400032 (JP)
優先権情報:
2007-019219 30.01.2007 JP
発明の名称: (EN) RESIN-ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ENCAPSULÉ PAR UNE RÉSINE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A resin-encapsulated semiconductor device having a semiconductor chip which is prevented from being damaged. The resin-encapsulated semiconductor device (100) comprises a semiconductor chip (1) including a silicon substrate, a die pad (10) to which the semiconductor chip (1) is secured through a first solder layer (2), a resin-encapsulating layer (30) encapsulating the semiconductor chip (1), and lead terminals (21) electrically connected to the semiconductor chip (1) and including inner lead portion (21b) covered with the resin-encapsulating layer (30). The lead terminals (21) are made of copper or a copper alloy. The die pad (10) is made of 42 alloy or a cover alloy and has a thickness (about 0.125 mm) less than the thickness (about 0.15 mm) of the lead terminals (21).
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur encapsulé par une résine dotée d'une puce semi-conductrice protégée de tout endommagement. Le dispositif semi-conducteur encapsulé par résine (100) comprend une puce semi-conductrice (1) incluant un substrat de silicium ; une pastille de dé (10) à laquelle la puce semi-conductrice (1) est fixée par une première couche de soudure (2) ; une couche d'encapsulation par résine (30) encapsulant la puce semi-conductrice (1) ; et des bornes d'amenée de courant (21) électriquement connectées à la puce semi-conductrice (1) et comprenant une partie de conducteur interne (21b) recouverte de la couche d'encapsulation de résine (30). Les bornes d'amenée de courant (21) sont faites de cuivre ou d'un alliage de cuivre. La pastille de dé (10) est faite d'un alliage 42 ou d'un alliage de cuivre et présente une épaisseur (environ 0,125 mm) inférieure à l'épaisseur (environ 0,15 mm) des bornes d'amenée de courant (21).
(JA) 半導体チップの損傷を抑制することが可能な樹脂封止型半導体装置を提供する。この樹脂封止型半導体装置(100)は、シリコン基板を含む半導体チップ(1)と、半導体チップ(1)が、第1ハンダ層(2)を介して固定されたダイパッド(10)と、半導体チップ(1)を封止する樹脂封止層(30)と、半導体チップ(1)と電気的に接続され、インナーリード部(21b)が樹脂封止層(30)によって覆われている複数のリード端子(21)とを備えている。また、リード端子(21)は、銅、または、銅合金から構成されており、ダイパッド(10)は、42Alloy合金、または、コバール合金から構成されている。さらに、ダイパッド(10)は、リード端子(21)の厚み(約0.15mm)以下の厚み(約0.125mm)に構成されている
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)