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1. (WO2008093579) 積層体、基板の製造方法、基板および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/093579    国際出願番号:    PCT/JP2008/050889
国際公開日: 07.08.2008 国際出願日: 23.01.2008
IPC:
H05K 3/46 (2006.01), B32B 15/08 (2006.01), C08J 5/24 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 23/14 (2006.01), H05K 3/00 (2006.01)
出願人: SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED [JP/JP]; 5-8, Higashi-shinagawa 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1400002 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORIMOTO, Junpei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KANEDA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MORIMOTO, Junpei; (JP).
KANEDA, Kenichi; (JP)
代理人: ASAHI, Kazuo; Nishi-Shinbashi Noa Bldg. 4th Floor, 18-9, Nishi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2007-018555 29.01.2007 JP
発明の名称: (EN) MULTILAYER BODY, METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE, SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CORPS MULTICOUCHE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT, SUBSTRAT ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 積層体、基板の製造方法、基板および半導体装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a multilayer body (10) having a resin layer (2) internally containing a core portion (1) which is composed of a fiber base, and a metal layer (3) joined to one side of the resin layer. The fiber base has a thickness of not more than 25 μm, and the metal layer has an opening (31) corresponding to a via hole to be formed in the resin layer. Also disclosed is a method for producing a substrate, which comprises a step for forming a via hole (23) in the resin layer by irradiating the multilayer body with a laser (9), and a step for removing the metal layer from the multilayer body after formation of the via hole. Further disclosed is a substrate (100) produced by such a method. Still further disclosed is a semiconductor device (12) which is obtained by mounting a semiconductor element (121) on the substrate.
(FR)L'invention concerne un corps multicouche (10) qui est composée d'une couche de résine (22) incluant en interne une partie centrale (1) composée d'une base de fibre, et d'une couche métallique (3) liée à un côté de la couche de résine. La base de fibre présente une épaisseur égale ou inférieure à 25 µm ; la couche métallique est dotée d'une ouverture (31) correspondant à un trou d'interconnexion à former dans la couche de résine. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un substrat qui comprend une étape de formation d'un trou d'interconnexion (23) dans la couche de résine par irradiation du corps multicouche avec un laser (9) ; et une étape de retrait de la couche métallique du corps multicouche après formation du trou d'interconnexion. L'invention concerne en outre un substrat (100) produit par un tel procédé. L'invention concerne de plus un dispositif semi-conducteur (12) obtenu par montage d'un élément semi-conducteur (121) sur le substrat.
(JA) 本発明の積層体(10)は、繊維基材で構成されるコア部(1)を内蔵する樹脂層(2)と、前記樹脂層の片面に接合される金属層(3)とを有する積層体であって、前記繊維基材の厚さが25μm以下であり、前記金属層が前記樹脂層に形成されるビアホールに対応する開口部(31)を有する。また、本発明の基板の製造方法は、上記に記載の積層体にレーザー(9)照射して前記樹脂層にビアホール(23)を形成する工程と、前記ビアホール形成後に、前記積層体から前記金属層を除去する工程と、を有する。また、本発明の基板(100)は、上記に記載の製造方法で得られる。また、本発明の半導体装置(12)は、上記に記載の基板に、半導体素子(121)を搭載してなる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)