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1. (WO2008093579) 積層体、基板の製造方法、基板および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2008/093579 国際出願番号: PCT/JP2008/050889
国際公開日: 07.08.2008 国際出願日: 23.01.2008
IPC:
H05K 3/46 (2006.01) ,B32B 15/08 (2006.01) ,C08J 5/24 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/14 (2006.01) ,H05K 3/00 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3
印刷回路を製造するための装置または方法
46
多重層回路の製造
B 処理操作;運輸
32
積層体
B
積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
15
本質的に金属からなる積層体
04
層の主なまたは唯一の構成要素が金属からなり,特定物質の他の層に隣接したもの
08
合成樹脂の層に隣接したもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
J
仕上げ;一般的混合方法;サブクラスC08B,C08C,C08F,C08GまたはC08Hに包含されない後処理(プラスチックの加工,例.成形B29)
5
高分子物質を含む成形品の製造
24
その場で重合しうるプレポリマーによる物質の含浸,例.プレプレグの製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
14
材料またはその電気特性に特徴のあるもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3
印刷回路を製造するための装置または方法
出願人:
森本 純平 MORIMOTO, Junpei [JP/JP]; JP (UsOnly)
金田 研一 KANEDA, Kenichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
住友ベークライト株式会社 SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED [JP/JP]; 〒1400002 東京都品川区東品川2丁目5番8号 Tokyo 5-8, Higashi-shinagawa 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1400002, JP (AllExceptUS)
発明者:
森本 純平 MORIMOTO, Junpei; JP
金田 研一 KANEDA, Kenichi; JP
代理人:
朝比 一夫 ASAHI, Kazuo; 〒1050003 東京都港区西新橋1丁目18番9号 西新橋ノアビル4階 Tokyo Nishi-Shinbashi Noa Bldg. 4th Floor, 18-9, Nishi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
優先権情報:
2007-01855529.01.2007JP
発明の名称: (EN) MULTILAYER BODY, METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE, SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CORPS MULTICOUCHE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT, SUBSTRAT ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 積層体、基板の製造方法、基板および半導体装置
要約:
(EN) Disclosed is a multilayer body (10) having a resin layer (2) internally containing a core portion (1) which is composed of a fiber base, and a metal layer (3) joined to one side of the resin layer. The fiber base has a thickness of not more than 25 μm, and the metal layer has an opening (31) corresponding to a via hole to be formed in the resin layer. Also disclosed is a method for producing a substrate, which comprises a step for forming a via hole (23) in the resin layer by irradiating the multilayer body with a laser (9), and a step for removing the metal layer from the multilayer body after formation of the via hole. Further disclosed is a substrate (100) produced by such a method. Still further disclosed is a semiconductor device (12) which is obtained by mounting a semiconductor element (121) on the substrate.
(FR) L'invention concerne un corps multicouche (10) qui est composée d'une couche de résine (22) incluant en interne une partie centrale (1) composée d'une base de fibre, et d'une couche métallique (3) liée à un côté de la couche de résine. La base de fibre présente une épaisseur égale ou inférieure à 25 µm ; la couche métallique est dotée d'une ouverture (31) correspondant à un trou d'interconnexion à former dans la couche de résine. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un substrat qui comprend une étape de formation d'un trou d'interconnexion (23) dans la couche de résine par irradiation du corps multicouche avec un laser (9) ; et une étape de retrait de la couche métallique du corps multicouche après formation du trou d'interconnexion. L'invention concerne en outre un substrat (100) produit par un tel procédé. L'invention concerne de plus un dispositif semi-conducteur (12) obtenu par montage d'un élément semi-conducteur (121) sur le substrat.
(JA)  本発明の積層体(10)は、繊維基材で構成されるコア部(1)を内蔵する樹脂層(2)と、前記樹脂層の片面に接合される金属層(3)とを有する積層体であって、前記繊維基材の厚さが25μm以下であり、前記金属層が前記樹脂層に形成されるビアホールに対応する開口部(31)を有する。また、本発明の基板の製造方法は、上記に記載の積層体にレーザー(9)照射して前記樹脂層にビアホール(23)を形成する工程と、前記ビアホール形成後に、前記積層体から前記金属層を除去する工程と、を有する。また、本発明の基板(100)は、上記に記載の製造方法で得られる。また、本発明の半導体装置(12)は、上記に記載の基板に、半導体素子(121)を搭載してなる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)