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1. (WO2008093534) EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク

Pub. No.:    WO/2008/093534    International Application No.:    PCT/JP2008/050380
Publication Date: Fri Aug 08 01:59:59 CEST 2008 International Filing Date: Wed Jan 16 00:59:59 CET 2008
IPC: H01L 21/027
G03F 7/20
Applicants: ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
旭硝子株式会社
HAYASHI, Kazuyuki
林 和幸
KADOWAKI, Kazuo
門脇 一生
SUGIYAMA, Takashi
杉山 享司
Inventors: HAYASHI, Kazuyuki
林 和幸
KADOWAKI, Kazuo
門脇 一生
SUGIYAMA, Takashi
杉山 享司
Title: EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク
Abstract:
 EUV光およびパターン検査光の波長域の反射率が低く、かつ該所望の膜組成および膜厚に制御することが容易な吸収体層を有するEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの提供。  基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記吸収体層が、タンタル(Ta)およびハフニウム(Hf)を含有し、前記吸収体層における、Hfの含有率が20~60at%であり、Taの含有率が40~80at%であることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。