JP2008050380 ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク

1. (WO2008093534) ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク

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国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号:		WO/2008/093534		国際出願番号:		PCT/JP2008/050380
国際公開日:		07.08.2008		国際出願日:		15.01.2008

IPC:

H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)

出願人:

ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HAYASHI, Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KADOWAKI, Kazuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGIYAMA, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)

発明者:

HAYASHI, Kazuyuki; (JP).
KADOWAKI, Kazuo; (JP).
SUGIYAMA, Takashi; (JP)

代理人:

SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square, 17, Kanda-konyacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)

優先権情報:

2007-021092

31.01.2007

発明の名称:

(EN) REFLECTIVE MASK BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT POUR LITHOGRAPHIE EUV
(JA) ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク

要約:

(EN)Provided is a reflective mask blank for EUV lithography, which has an absorber layer having a low reflectance in wavelength regions of EUV light and pattern inspecting light and can be easily controlled to have prescribed film composition and film thickness. In the reflective mask blank for EUV lithography, a reflective layer for reflecting the EUV light and an absorber layer for absorbing the EUV light are formed in this order on a substrate. The absorber layer contains tantalum (Ta) and hafnium (Hf), and the absorber layer has a Hf content of 20-60at% and Ta content of 40-80at%.
(FR)L'invention concerne une ébauche de masque réfléchissant pour lithographie EUV, ayant une couche d'absorption présentant une faible réflectance dans des régions de longueur d'onde de lumière EUV et de lumière d'inspection de motif et pouvant facilement être régulée pour présenter une composition de film et une épaisseur de film prescrites. Dans l'ébauche de masque réfléchissant pour lithographie EUV, une couche réfléchissante pour réfléchir la lumière EUV et une couche d'absorption pour absorber la lumière EUV sont formées dans cet ordre sur un substrat. La couche d'absorption contient du tantale (Ta) et de l'hafnium (Hf), et la couche absorbante possède une teneur en Hf de 20-60at% et une teneur en Ta de 40-80at%.
(JA)　ＥＵＶ光およびパターン検査光の波長域の反射率が低く、かつ該所望の膜組成および膜厚に制御することが容易な吸収体層を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの提供。　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記吸収体層が、タンタル（Ｔａ）およびハフニウム（Ｈｆ）を含有し、前記吸収体層における、Ｈｆの含有率が２０～６０ａｔ％であり、Ｔａの含有率が４０～８０ａｔ％であることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。

指定国:

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).

国際公開言語:	Japanese (JA)
国際出願言語:	Japanese (JA)

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