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1. (WO2008093512) 多結晶シリコン、多結晶シリコン基体およびその製造方法、ならびに多結晶シリコン基体を用いた光電変換素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/093512    国際出願番号:    PCT/JP2008/050091
国際公開日: 07.08.2008 国際出願日: 09.01.2008
IPC:
C01B 33/02 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/208 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OISHI, Ryuichi; (米国のみ)
発明者: OISHI, Ryuichi;
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2007-021476 31.01.2007 JP
発明の名称: (EN) POLYCRYSTAL SILICON, POLYCRYSTAL SILICON BASE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT USING THE POLYCRYSTAL SILICON BASE
(FR) SILICIUM POLYCRISTALLIN, BASE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE UTILISANT LA BASE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶シリコン、多結晶シリコン基体およびその製造方法、ならびに多結晶シリコン基体を用いた光電変換素子
要約: front page image
(EN)It is possible to provide a polycrystal silicon doped by nitrogen and a polycrystal silicon base formed by the polycrystal silicon. It is preferable that the polycrystal silicon have a peak at the wave number position 963 plus/minus 5 cm-1 and/or 938 plus/minus 5 cm-1 in the infrared absorption spectrum. Moreover, it is possible to provide a polycrystal silicon base manufacturing method including a step for adjusting a silicon solution containing nitrogen and a photoelectric conversion element using the base. The photoelectric conversion element using the polycrystal silicon base doped by nitrogen has a high conversion efficiency and a high cost performance as compared to the conventional technique.
(FR)L'invention concerne un silicium polycristallin dopé par de l'azote et une base de silicium polycristalline formée par le silicium polycristallin. De préférence, le silicium polycristallin a un pic à la position de nombre d'onde 963 plus/moins 5 cm-1 et/ou 938 plus/moins 5 cm-1 dans le spectre d'absorption infrarouge. De plus, l'invention concerne un procédé de fabrication d'une base de silicium polycristallin comprenant une étape pour ajuster une solution de silicium contenant de l'azote et un élément de conversion photoélectrique utilisant la base. Comparé à la technique classique, l'élément de conversion photoélectrique utilisant la base de silicium polycristallin dopée par l'azote présente un rendement de conversion élevé et un meilleur coût.
(JA) 窒素ドープされた多結晶シリコンおよび該多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体が提供される。好ましくは、該多結晶シリコンは、赤外吸収スペクトルにおいて、963±5cm-1および/または938±5cm-1の波数位置にピークを有する。また、窒素含有シリコン融液を調製する工程を含む多結晶シリコン基体の製造方法、および該基体を用いた光電変換素子が提供される。窒素ドープされた多結晶シリコン基体を用いた光電変換素子は、従来と比較して変換効率が高く、コストパフォーマンスが高い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)