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1. (WO2008093488) シリコンウエーハの面取り装置およびシリコンウエーハの製造方法ならびにエッチドシリコンウエーハ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2008/093488 国際出願番号: PCT/JP2008/000035
国際公開日: 07.08.2008 国際出願日: 17.01.2008
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 9/00 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
出願人: KATO, Tadahiro[JP/JP]; JP (UsOnly)
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.[JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP (AllExceptUS)
発明者: KATO, Tadahiro; JP
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F 6-11, Ueno 7-chome Taito-ku Tokyo 1100005, JP
優先権情報:
2007-02154031.01.2007JP
発明の名称: (EN) SILICON WAFER BEVELING DEVICE, SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, AND ETCHED SILICON WAFER
(FR) DISPOSITIF DE BISEAUTAGE DE TRANCHE DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ET TRANCHE DE SILICIUM GRAVÉE
(JA) シリコンウエーハの面取り装置およびシリコンウエーハの製造方法ならびにエッチドシリコンウエーハ
要約: front page image
(EN) A silicon wafer beveling device for beveling the edge of a silicon wafer by means a beveling grindstone has at least a holding jig for holding a silicon wafer and rotating it, a beveling grindstone for beveling the edge of the held silicon wafer, and a controller for numerically controlling the relative positions of the edge of the silicon wafer and the beveling grindstone and controlling the beveled shape. The controller makes a control to change the relative positions of the edge of the silicon wafer and the beveling grindstone when the silicon wafer is beveled according to the circumferential position of the held silicon wafer. A silicon wafer manufacturing method and an etched silicon wafer are also disclosed. Therefore, the variation of the cross-section shape dimension of the beveled portion after the etching step can be reduced.
(FR) L'invention concerne un dispositif de biseautage de tranche de silicium pour biseauter la bordure d'une tranche de silicium au moyen d'une meule de biseautage. Le dispositif est muni d'au moins un gabarit de maintien pour maintenir une tranche de silicium et l'entraîner en rotation; d'une meule de biseautage pour biseauter la bordure de la tranche de silicium maintenue; et d'un dispositif de commande pour commander numériquement les positions relatives de la bordure de la tranche de silicium et de la meule de biseautage et vérifier la forme biseautée. Le dispositif de commande amène une commande à changer les positions relatives de la bordure de la tranche de silicium et de la meule de biseautage lorsque la tranche de silicium est biseautée conformément à la position périphérique de la tranche de silicium maintenue. L'invention concerne également un procédé de fabrication de tranche de silicium et une tranche de silicium gravée. Par conséquent, la variation de dimension de la forme en coupe transversale de la partie biseautée après l'étape de gravure peut être réduite.
(JA)  本発明は、面取り砥石を用いてシリコンウエーハの外周部を面取りするシリコンウエーハの面取り装置であって、少なくとも、シリコンウエーハを保持するとともにこれを回転させる保持具と、保持具に保持されたシリコンウエーハの外周部を面取りする面取り砥石と、シリコンウエーハの外周部と面取り砥石の相対位置を数値制御により制御して面取り形状を制御するための制御装置を具備し、制御装置は、前記保持具に保持されたシリコンウエーハの円周方向の位置に応じ、面取りするときのシリコンウエーハの外周部と面取り砥石の相対位置を変更制御するものであるシリコンウエーハの面取り装置、および製造方法ならびにエッチドシリコンウエーハである。これにより、エッチング工程後の面取り部の断面形状寸法のばらつきを抑制することができるシリコンウエーハの面取り装置および製造方法ならびにエッチドシリコンウエーハが提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)