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1. (WO2008075794) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/075794    国際出願番号:    PCT/JP2007/075228
国際公開日: 26.06.2008 国際出願日: 20.12.2007
IPC:
H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIKI, Hisayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIKI, Hisayuki; (JP)
代理人: AOKI, Atsushi; SEIWA PATENT & LAW Toranomon 37 Mori Bldg. 5-1, Toranomon 3-chome Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
優先権情報:
2006-343059 20.12.2006 JP
2007-074779 22.03.2007 JP
発明の名称: (EN) GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF D'ÉMISSION DE LUMIÈRE SEMI-CONDUCTEUR AVEC UN COMPOSÉ DE NITRURE DE GALLIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a gallium nitride compound semiconductor light-emitting device having high emission output and low driving voltage. Specifically disclosed is a gallium nitride compound semiconductor light-emitting device wherein an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer and a p-type semiconductor layer each composed of a gallium nitride compound semiconductor are sequentially arranged on a substrate in this order; a negative electrode and a positive electrode are respectively arranged on the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer; and the positive electrode is composed of an oxide material having conductivity and light transmitting property. This gallium nitride compound semiconductor light-emitting device is characterized in that there is a layer containing a compound having a Ga-O bond and/or an N-O bond between the p-type semiconductor layer and the positive electrode.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'émission de lumière semi-conducteur avec un composé de nitrure de gallium ayant un rendement d'émission élevé et une faible tension de polarisation dynamique. L'invention concerne de manière précise un dispositif d'émission de lumière semi-conducteur avec un composé de nitrure de gallium, dans lequel une couche semi-conductrice de type n, une couche émettrice de lumière et une couche semi-conductrice de type p, chacune respectivement composée d'un semi-conducteur avec un composé de nitrure de gallium, sont disposées de manière séquentielle sur un substrat, dans cet ordre ; une électrode négative et une électrode positive sont disposées respectivement sur la couche semi-conductrice de type n et la couche semi-conductrice de type p ; et l'électrode positive est composée d'un oxyde ayant des propriétés de conductivité et de transmission de la lumière. Ce dispositif d'émission de lumière semi-conducteur avec un composé de nitrure de gallium est caractérisé en ce qu'une couche contenant un composé ayant une liaison Ga-O et/ou une liaison N-O existe entre la couche semi-conductrice de type p et l'électrode positive.
(JA)本発明の目的は、発光出力が高く、かつ駆動電圧が低い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供することである。 本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる、n型半導体層、発光層およびp型半導体層をこの順序で有し、該n型半導体層および該p型半導体層に負極および正極がそれぞれ設けられ、該正極が導電性と透光性を持つ酸化物材料からなる発光素子において、該p型半導体層と該正極との間にGa−O結合および/またはN−O結合を有する化合物を含む層が存在することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)