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1. (WO2008075641) 多層膜形成方法及び多層膜形成装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/075641    国際出願番号:    PCT/JP2007/074217
国際公開日: 26.06.2008 国際出願日: 17.12.2007
IPC:
C23C 14/06 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/14 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01), H01L 41/22 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KIMURA, Isao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
JINBO, Takehito [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIKUCHI, Shin [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIOKA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUU, Koukou [CN/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KIMURA, Isao; (JP).
JINBO, Takehito; (JP).
KIKUCHI, Shin; (JP).
NISHIOKA, Yutaka; (JP).
SUU, Koukou; (JP)
代理人: ONDA, Hironori; 12-1, Ohmiya-cho 2-chome Gifu-shi, Gifu 5008731 (JP)
優先権情報:
2006-343259 20.12.2006 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING MULTILAYER FILM AND APPARATUS FOR FORMING MULTILAYER FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM MULTICOUCHE ET APPAREIL DE FORMATION D'UN FILM MULTICOUCHE
(JA) 多層膜形成方法及び多層膜形成装置
要約: front page image
(EN)Disclosed are a method for forming a multilayer thin film and an apparatus for forming a multilayer thin film, each enables to improve dielectric characteristics and piezoelectric characteristics of a thin film which is composed of a lead-based perovskite complex oxide. Specifically disclosed is a method for forming a multilayer thin film, which comprises formation of a lower electrode layer (32b) composed of a noble metal on top of a substrate (S) by sputtering a lower electrode layer target (TG2), and formation of a lead-based complex oxide layer (33) on the lower electrode layer (32b) by sputtering an oxide layer target (TG3) containing lead. The thickness of the lower electrode layer (32b) is regulated to 10-30 nm, while the thickness of the lead-based complex oxide layer (33) is regulated to 0.2-5.0 &mgr;m.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un mince film multicouche et un appareil de formation d'un mince film multicouche, chacun permettant d'améliorer les caractéristiques diélectriques et les caractéristiques piézoélectriques d'un mince film qui est composé d'un oxyde complexe de pérovskite à base de plomb. L'invention concerne spécifiquement un procédé de formation d'un mince film multicouche, qui comprend la formation d'une couche d'électrode inférieure (32b) composée d'un métal noble sur la partie supérieure d'un substrat (S) par pulvérisation cationique d'une cible de couche d'électrode inférieure (TG2), et la formation d'une couche d'oxyde complexe à base de plomb (33) sur la couche d'électrode inférieure (32b) par pulvérisation cationique d'une cible de couche d'oxyde (TG3) contenant du plomb. L'épaisseur de la couche d'électrode inférieure (32b) est régulée entre 10 et 30 nm tandis que l'épaisseur de la couche d'oxyde de complexe à base de plomb (33) est régulée entre 0,2 et 5,0 µm.
(JA) 鉛系ペロブスカイト複合酸化物からなる薄膜の誘電特性と圧電特性を向上させた多層薄膜形成方法及び多層薄膜形成装置。多層薄膜形成方法は、下部電極層ターゲット(TG2)をスパッタして基板(S)の上方に貴金属からなる下部電極層(32b)を形成すること、鉛を含む酸化物層ターゲット(TG3)をスパッタして下部電極層(32b)の上に鉛系複合酸化物層(33)を積層することを含む。下部電極層(32b)の厚さは10~30nmに規定され、鉛系複合酸化物層(33)の厚さは0.2~5.0μmに規定される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)