WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2008075637) プラズマ反応用ガス、ドライエッチング方法およびフルオロカーボン膜の成膜方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/075637    国際出願番号:    PCT/JP2007/074213
国際公開日: 26.06.2008 国際出願日: 17.12.2007
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), C08F 2/52 (2006.01), C08F 36/04 (2006.01), C23C 16/50 (2006.01), C07C 23/08 (2006.01)
出願人: ZEON CORPORATION [JP/JP]; 6-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008246 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUGIMOTO, Tatsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUGIMOTO, Tatsuya; (JP).
NAKAMURA, Masahiro; (JP)
代理人: OHISHI, Haruhito; Sanshin-Hirose Bldg. 5F 6-1, Uchikanda 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 1010047 (JP)
優先権情報:
2006-339300 18.12.2006 JP
発明の名称: (EN) GAS FOR PLASMA REACTION, DRY ETCHING METHOD, AND METHOD FOR FORMING FLUOROCARBON FILM
(FR) GAZ POUR UNE RÉACTION PLASMA, PROCÉDÉ DE GRAVURE SÈCHE ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FORMER UN FILM FLUOROCARBONÉ
(JA) プラズマ反応用ガス、ドライエッチング方法およびフルオロカーボン膜の成膜方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a gas for plasma reactions, which contains perfluoro-(3-methylenecyclopentene). Also disclosed is a dry etching method having a step for dry etching an object base to be etched within a process chamber by supplying the gas for plasma reactions into the chamber. Further disclosed is a method for forming a fluorocarbon film by CVD on the surface of an object to be processed within a process chamber by supplying the gas for plasma reactions into the chamber. The gas for plasma reactions exhibits high selectivity for semiconductor materials and enables to form a finer pattern having a good rectangular shape even when the resist as a mask is thin. The gas for plasma reactions enables to perform an etching having a good balance between etching rate and selectivity even with a high-density plasma. In addition, the gas for plasma reactions enables to form a fluorocarbon film having low stress relaxation even after a heat treatment.
(FR)L'invention concerne un gaz pour des réactions plasma, qui contient du perfluoro-(3-méthylènecyclopentène). L'invention présente également un procédé de gravure sèche ayant une étape destinée à la gravure sèche d'une base d'objet devant être attaquée chimiquement à l'intérieur d'une chambre de traitement en amenant le gaz pour des réactions plasma dans la chambre. L'invention présente en outre un procédé permettant de former un film fluorocarboné par dépôt chimique en phase vapeur sur la surface d'un objet devant être traité à l'intérieur d'une chambre de traitement en amenant le gaz pour des réactions plasma dans la chambre. Le gaz pour des réactions plasma présente une sélectivité élevée pour des matières de semi-conducteur et permet de former un motif plus fin ayant une bonne forme rectangulaire y compris lorsque la réserve en tant que masque est mince. Le gaz pour des réactions plasma permet d'effectuer une attaque chimique présentant un bon équilibre entre le facteur de morsure et la sélectivité y compris avec un plasma haute densité. De plus, le gaz pour des réactions plasma permet de former un film fluorocarboné ayant une faible relaxation de la contrainte y compris après un traitement thermique.
(JA) 本発明は、パーフルオロ-(3-メチレンシクロペンテン)を含有してなるプラズマ反応 用ガス、前記プラズマ反応用ガスを処理容器内に供給し、該容器内で被エッチング基体をドライエッチングする工程を有するドライエッチング方法、及び、前記プラズマ反応用ガスを処理容器内に供給し、該容器内で被処理物の表面にCVD法によりフルオロカーボン膜を成膜する工程を有する成膜方法である。本発明のプラズマ反応用ガスによれば、マスクであるレジストの膜厚が薄い場合においても、半導体材料に対し高選択性を発現し、かつ形状の良好な矩形を有する微細なパターンをエッチング可能である。また、高密度プラズマ下においてもエッチング速度と選択性においてバランスの取れたエッチングが可能である。さらに、加熱処理を施しても応力緩和の小さいフルオロカーボン膜を成膜可能である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)