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1. (WO2008075414) 抵抗変化素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/075414    国際出願番号:    PCT/JP2006/325300
国際公開日: 26.06.2008 国際出願日: 19.12.2006
IPC:
H01L 27/10 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NOSHIRO, Hideyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KINOSHITA, Kentaro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NOSHIRO, Hideyuki; (JP).
KINOSHITA, Kentaro; (JP)
代理人: OKAMOTO, Keizo; OKAMOTO PATENT OFFICE Yamanishi Bldg, 4F 11-7, Nihonbashi Ningyo-cho 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING RESISTANCE CHANGE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À CHANGEMENT DE RÉSISTANCE
(JA) 抵抗変化素子の製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a process for producing a resistance change device that is capable of reducing the amount of current flowing per cell as compared with that of the prior art. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] In the production of resistance change memory (ReRAM) adapted to store data through resistance change of resistance change device (71), first, transistor (T), interlayer insulating films (61, 65), W-plugs (62a, 62b, 66), etc. are formed on semiconductor substrate (50). Subsequently, Pt film (67) as an under electrode of the resistance change device (71) is formed, and thereupon transition metal film (Ni film) (68) is formed. Thereafter, the surface of the transition metal film (68) is oxidized to thereby form transition metal oxide film (69), and thereupon Pt film (70) as an upper electrode is formed.
(FR)L'invention vise à fournir un procédé pour fabriquer un dispositif à changement de résistance qui est capable de réduire la quantité de courant circulant par cellule par comparaison avec celle de l'état antérieur de la technique. A cet effet, dans la fabrication d'une mémoire à changement de résistance (ReRAM) apte à stocker des données par un changement de résistance d'un dispositif à changement de résistance (71), un premier transistor (T), des films isolants intercouches (61, 65), des fiches W (62a, 62b, 66), etc. sont formées sur un substrat semi-conducteur (50). Ultérieurement, un film Pt (67) est formé en tant qu'électrode inférieure du dispositif à changement de résistance (71), et sur celui-ci, un film de métal de transition (film Ni) (68) est formé. Ensuite, la surface du film de métal de transition (68) est oxydée pour ainsi former un film d'oxyde de métal de transition (69), et, sur celui-ci, un film Pt (70) est formé en tant qu'électrode supérieure.
(JA)【課題】1セル当りに流れる電流量を従来よりも低減できる抵抗変化素子の製造方法を提供する。 【解決手段】抵抗変化素子71の抵抗変化によりデータを記憶する抵抗変化メモリ(ReRAM)において、半導体基板50上にトランジスタT、層間絶縁膜61,65及びWプラグ62a,62b,66等を形成した後、抵抗変化素子71の下部電極となるPt膜67を形成し、その上に遷移金属膜(Ni膜)68を形成する。その後、遷移金属膜68の表面を酸化させて、遷移金属酸化膜69を形成し、その上に上部電極となるPt膜70を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)