WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2008072692) 不揮発性記憶装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/072692    国際出願番号:    PCT/JP2007/074024
国際公開日: 19.06.2008 国際出願日: 13.12.2007
IPC:
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SV, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
TSUJI, Yukihide [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TSUJI, Yukihide; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Teruo; 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2006-338196 15.12.2006 JP
発明の名称: (EN) NONVOLATILE STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMORISATION NON VOLATILE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 不揮発性記憶装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a nonvolatile storage device having advantages for miniaturization, a small initial threshold value variance, high write efficiency, with no erasure failure and storage failure. The nonvolatile storage device is provided with a laminated film, which is arranged to extend from between a semiconductor substrate and a gate electrode to over at least a surface on the side of a first impurity diffusion region on the gate electrode, and is provided with a charge accumulating layer and a tunnel insulating film in this order from the gate electrode side.
(FR)L'invention concerne un dispositif de mémorisation non volatile présentant des avantages de miniaturisation, une faible variance initiale de valeurs de seuils, un rendement élevé en écriture, sans défaillance d'effacement ni de mémorisation. Le dispositif de mémorisation non volatile est muni d'un film stratifié qui est disposé pour s'étendre depuis une zone entre un substrat semiconducteur et une électrode de grille jusqu'à une zone par dessus d'au moins une surface située sur le côté d'une première zone de diffusion d'impuretés sur l'électrode de grille, et il est muni d'une couche d'accumulation de charges et d'un film isolant à effet tunnel dans cet ordre depuis le côté de l'électrode de grille.
(JA) 微細化に有利で初期閾値のバラツキが小さく、書き込み効率が高くて消去不良及び保持不良の無い優れた不揮発性記憶装置を提供する。  半導体基板とゲート電極間からゲート電極の少なくとも第1不純物拡散領域側の面上まで延在するように設けられた積層膜であって、ゲート電極側から順に電荷蓄積層とトンネル絶縁膜とを有する積層膜と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)