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1. (WO2008072520) 線状発光装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/072520    国際出願番号:    PCT/JP2007/073476
国際公開日: 19.06.2008 国際出願日: 05.12.2007
IPC:
H05B 33/00 (2006.01), C09K 11/02 (2006.01), C09K 11/56 (2006.01), C09K 11/58 (2006.01), G02F 1/13357 (2006.01), G09F 9/00 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TANIGUCHI, Reiko; (米国のみ).
ONO, Masayuki; (米国のみ).
NASU, Shogo; (米国のみ).
SATOH, Eiichi; (米国のみ).
AOYAMA, Toshiyuki; (米国のみ).
HASEGAWA, Kenji; (米国のみ).
ODAGIRI, Masaru; (米国のみ)
発明者: TANIGUCHI, Reiko; .
ONO, Masayuki; .
NASU, Shogo; .
SATOH, Eiichi; .
AOYAMA, Toshiyuki; .
HASEGAWA, Kenji; .
ODAGIRI, Masaru;
代理人: TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2006-338127 15.12.2006 JP
2006-338130 15.12.2006 JP
発明の名称: (EN) LINEAR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT LINÉAIRE
(JA) 線状発光装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a linear light-emitting device which comprises a pair of first and second linear electrodes arranged opposite to each other, and a linear light-emitting layer arranged between the electrodes. At least one of the first and second electrodes is a transparent electrode. The light-emitting layer has a polycrystalline structure composed of a first semiconductor material. In the polycrystalline structure, a second semiconductor material which is different from the first semiconductor material is segregated at grain boundaries.
(FR)La présente invention concerne un dispositif électroluminescent linéaire qui comprend une première et une seconde électrode linéaire placées l'une face à l'autre, ainsi qu'une couche électroluminescente linéaire placée entre les électrodes. Au moins la première ou la seconde électrode est une électrode transparente. La couche électroluminescente possède une structure polycristalline composée d'un premier matériau à semi-conducteurs. Dans la structure polycristalline, un second matériau à semi-conducteurs, différent du premier, est séparé sur les limites du grain.
(JA) 線状発光装置は、互いに対向する一対の第1及び第2の線状電極と、前記一対の電極間に挟まれて設けられた線状の発光層とを備え、前記一対の第1及び第2の電極は、少なくとも1つが透明電極であって、前記発光層は、第1半導体物質よりなる多結晶体構造であって、前記多結晶体構造の粒界に前記第1半導体物質とは異なる第2半導体物質が偏析している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)