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1. (WO2008072510) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/072510    国際出願番号:    PCT/JP2007/073454
国際公開日: 19.06.2008 国際出願日: 05.12.2007
IPC:
H01L 25/065 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi Osaka 5458522 (JP) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SV, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
KATOH, Tatsuya; (米国のみ).
KUDOSE, Satoru; (米国のみ).
NAKAGAWA, Tomokatsu; (米国のみ)
発明者: KATOH, Tatsuya; .
KUDOSE, Satoru; .
NAKAGAWA, Tomokatsu;
代理人: HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300041 (JP)
優先権情報:
2006-339048 15.12.2006 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor device (1) in which the quality of the joint between a semiconductor element and the interposer substrate is stabilized comprises the interposer substrate (2) mounted on a film substrate (8) and made of silicon, and a semiconductor element (3) mounted in the interposer substrate (2) so as to drive a liquid crystal. The interposer substrate (2) has a substrate projecting electrode (4) formed on the semiconductor element (3) side. The semiconductor element (3) has an element projecting electrode (5) jointed to the substrate projecting electrode (4). The element-joined area of the element projecting electrode (5) is larger than the substrate-joined area of the substrate projecting electrode (4).
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur (1) dans lequel la qualité de la liaison entre un élément semi-conducteur et le substrat d'interposition est stabilisée. Le dispositif semi-conducteur comporte le substrat d'interposition (2) monté sur un substrat de film (8) et fait de silicium, et un élément semi-conducteur (3) monté dans le substrat d'interposition (2) de façon à commander des cristaux liquides. Le substrat d'interposition (2) a une électrode en saillie de substrat (4) formée sur le côté de l'élément semi-conducteur (3). L'élément semi-conducteur (3) a une électrode en saillie d'élément (5) articulée à l'électrode de projection de substrat (4). La zone de liaison à l'élément de l'électrode en saillie d'élément (5) est plus grande que la zone de liaison au substrat de l'électrode en saillie de substrat (4).
(JA) 半導体素子とインタポーザ基板との接合品質を安定化させる半導体装置(1)は、フィルム基板(8)に実装されてシリコンにより構成されたインタポーザ基板(2)と、液晶を駆動するためにインタポーザ基板(2)に実装された半導体素子(3)とを備え、インタポーザ基板(2)は、半導体素子(3)側に形成された基板突起電極(4)を有し、半導体素子(3)は、基板突起電極(4)と接合する素子突起電極(5)を有し、素子突起電極(5)の素子接合面の面積が、基板突起電極(4)の基板接合面の面積よりも大きい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)