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1. (WO2008069309) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/069309    国際出願番号:    PCT/JP2007/073676
国際公開日: 12.06.2008 国際出願日: 07.12.2007
IPC:
H01L 29/78 (2006.01)
出願人: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIYAKOSHI, Nobuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIYAKOSHI, Nobuki; (JP)
代理人: SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2006-330270 07.12.2006 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device is provided with a reference concentration layer containing a first conductivity type impurity at a first reference concentration; a drift layer, which is arranged on a lower surface of the reference concentration layer, and is composed of a low concentration layer containing the first conductivity type impurity at a concentration lower than the first reference concentration; a gate electrode formed on an upper surface of the reference concentration layer; a pair of source regions, which are arranged in the vicinity of the end portions of the gate on a surface of the reference concentration layer and contain the first conductivity type impurity at a concentration higher than the first reference concentration; a pair of base regions, which surround a diffusion layer outer surface of each source region, and contain a second conductivity type impurity at a second reference concentration; a source electrode electrically connected to the source region and the base region; a depletion layer extended region, which is arranged in the reference concentration layer at a lower portion of the diffusion layer of the base region, and includes the second conductivity type impurity at a concentration lower than the second reference concentration; a drain layer, which is arranged on a lower surface of the low concentration layer, and contains the first conductivity type impurity at a concentration higher than the first reference concentration; and a drain electrode, which is arranged on a lower surface of the drain layer, and has a voltage applied between the drain layer and the source electrode. A lower surface of the depletion layer extended region is formed deeper than the interface position between the low concentration layer and the reference concentration layer to enter the low concentration layer.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur avec une couche de concentration de référence comprenant une première impureté de type à conductivité à une première concentration de référence ; une couche de dérive, qui est disposée sur une surface inférieure de la couche de concentration de référence, et composé d'une couche de faible concentration contenant la première impureté de type à conductivité à une concentration inférieure à la première concentration de référence ; une électrode grille formée sur une surface supérieure de la couche de concentration de référence ; une paire de régions de source, qui sont disposées à proximité des parties d'extrémité de la grille sur une surface de la couche de concentration de référence et contiennent la première impureté de type à conductivité à une concentration supérieure à la première concentration de référence ; une paire de régions de base, qui entourent une surface externe de couche de diffusion de chaque région de source, et contiennent une impureté de type à conductivité à une seconde concentration de référence ; une électrode source connectée électriquement à la région de source et à la région de base ; une région étendue de couche d'appauvrissement, qui est disposée dans la couche de concentration de référence à une partie inférieure de la couche de diffusion de la région de base, et comprend la seconde impureté de type à conductivité à une concentration inférieure à la seconde concentration de référence ; une couche de drain, qui est disposée sur une surface inférieure de la couche de faible concentration, et contient la première impureté de type à conductivité à une concentration supérieure à la première concentration de référence ; et une électrode de drain, qui est disposée sur une surface inférieure de la couche de drain, et comporte une tension appliquée entre la couche de drain et l'électrode source. Une surface inférieure de la région étendue de la couche de d'appauvrissement est formée plus profondément que la position d'interface entre la couche de faible concentration et la couche de concentration de référence pour entrer dans la couche de faible concentration.
(JA) 本発明の半導体装置は、第1導電型の不純物を第1基準濃度で含む基準濃度層、及び該基準濃度層の下面に設けられ第1基準濃度よりも低い濃度で第1導電型の不純物を含む低濃度層から構成されるドリフト層と、基準濃度層の上面に形成されたゲート電極と、基準濃度層の表面において、ゲートのそれぞれの端部の近傍に設けられ、第1の基準濃度よりも高い濃度の第1導電型の不純物を含む一対のソース領域と、ソース領域各々の拡散層外面を囲む、第2導電型の不純物を第2基準濃度で含む一対のベース領域と、ソース領域及びベース領域に電気的に接続されたソース電極と、ベース領域の拡散層の下部における基準濃度層内に設けられ、第2基準濃度より低い濃度の第2導電型の不純物を含む空乏層伸長領域と、低濃度層の下面に設けられ、第1基準濃度より高い濃度で第1導電型の不純物を含むドレイン層と、該ドレイン層の下面に設けられ、ソース電極との間で電圧が印加されるドレイン電極とを有し、空乏層伸長領域の下面が低濃度層および基準濃度層の界面位置より深く、低濃度層に入り込んで形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)