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1. (WO2008069307) レーザによる集積回路の修正方法および装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/069307    国際出願番号:    PCT/JP2007/073672
国際公開日: 12.06.2008 国際出願日: 07.12.2007
IPC:
H01L 21/82 (2006.01), B23K 26/08 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
出願人: Cyber Laser Inc. [JP/JP]; Telecom Center Bldg., 2-38 Aomi, Koto-ku, Tokyo 1358070 (JP) (米国を除く全ての指定国).
Meere Company Inc. [KR/KR]; 285-15 Jeongmun-ri, Yanggam-myeon, Hwaseong-si, Gyeonggi-do 445933 (KR) (米国を除く全ての指定国).
TSUJIKAWA, Susumu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAMATA, Masanao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUMIYOSHI, Tetsumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TSUJIKAWA, Susumu; (JP).
KAMATA, Masanao; (JP).
SUMIYOSHI, Tetsumi; (JP)
代理人: SONODA, Yoshitaka; SONODA & KOBAYASHI, 53rd Floor, Shinjuku Mitsui Building, 1-1, Nishi-Shinjuku 2-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1630453 (JP)
優先権情報:
2006-332663 08.12.2006 JP
発明の名称: (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MODIFYING INTEGRATED CIRCUIT BY LASER
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR MODIFIER LE CIRCUIT INTÉGRÉ PAR LASER
(JA) レーザによる集積回路の修正方法および装置
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a method and an apparatus for cutting a conductive link of a redundant circuit in a semiconductor integrated circuit. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A method is provided for selectively cutting a plurality of conductive links embedded in a protection layer which covers at least the conductive links in a semiconductor device formed on a semiconductor substrate. A focused beam is aligned with a target link, a first pulsed laser beam having a short laser wavelength of 400nm or shorter and a second pulsed laser beam having a wavelength longer than 400nm are generated, the first and the second pulsed laser beams are overlapped and applied onto the conductive link from over the protection layer. Preferably, the second pulsed laser is applied after the first pulsed layer in terms of time.
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de l'invention est de fournir un procédé et un appareil pour couper une liaison conductrice d'un circuit redondant dans un circuit intégré à semi-conducteur. La solution proposée consiste à couper de façon sélective une pluralité de liens conducteurs enchâssés dans une couche de protection qui couvre au moins les liens conducteurs dans un dispositif à semi-conducteur formé sur un substrat à semi-conducteur. Un faisceau concentré est aligné avec une liaison cible, un premier faisceau laser pulsé ayant une courte longueur d'onde laser de 400 nm ou moins et un second faisceau laser pulsé ayant une longueur d'onde supérieure à 400 nm sont générés, les premier et second faisceaux laser pulsés se chevauchent et sont appliqués sur le lien conducteur par-dessus la couche de protection. De préférence, le second laser pulsé est appliqué chronologiquement après la première couche laser pulsée.
(JA)【課題】半導体集積回路内の冗長回路の導電性リンクを切断する方法と装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板上に形成された半導体デバイス内に少なくとも導電性リンクを覆う保護層で埋め込まれた複数の導電性リンクを選択的にリンク切断する方法において、目標とするリンクに集光ビームを位置決めし、レーザの波長が400nm以下の短波長の第1のパルスレーザと波長が400nmより長い波長の第2のパルスレーザを発生し、第1と第2のパルスレーザを重畳して保護層の上から、導電性リンクに向けて照射する。第1のパルスレーザより第2のパルスレーザを時間的に遅延させて照射するとなお良い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)