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1. (WO2008069174) 面状発光装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/069174    国際出願番号:    PCT/JP2007/073319
国際公開日: 12.06.2008 国際出願日: 03.12.2007
IPC:
H05B 33/14 (2006.01), C09K 11/00 (2006.01), C09K 11/08 (2006.01), C09K 11/56 (2006.01), C09K 11/62 (2006.01), C09K 11/88 (2006.01), H05B 33/12 (2006.01), H05B 33/26 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SATOH, Eiichi; (米国のみ).
NASU, Shogo; (米国のみ).
TANIGUCHI, Reiko; (米国のみ).
AOYAMA, Toshiyuki; (米国のみ).
ONO, Masayuki; (米国のみ).
HASEGAWA, Kenji; (米国のみ).
ODAGIRI, Masaru; (米国のみ)
発明者: SATOH, Eiichi; .
NASU, Shogo; .
TANIGUCHI, Reiko; .
AOYAMA, Toshiyuki; .
ONO, Masayuki; .
HASEGAWA, Kenji; .
ODAGIRI, Masaru;
代理人: TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building 3-7, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2006-329374 06.12.2006 JP
2006-331622 08.12.2006 JP
発明の名称: (EN) SURFACE-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉMETTEUR EN SURFACE
(JA) 面状発光装置
要約: front page image
(EN)A surface-emitting device comprises first and second electrodes provided on two parallel virtual opposed planes and a light-emitting layer interposed between the first and second electrodes. The projection of the second electrode onto the virtual plane where the first electrode is provided does not overlap with the first electrode. The light-emitting layer has a polycrystalline structure made of a first semiconductor material. A second semiconductor material different from the first semiconductor material is precipitated at the grain boundaries of the polycrystalline structure.
(FR)Le dispositif émetteur en surface selon l'invention comprend une première et une seconde électrodes disposées sur deux plans opposés virtuels parallèles et une couche émettrice de lumière intercalée entre lesdites première et seconde électrodes. La projection de la seconde électrode dans le plan virtuel contenant la première électrode ne recouvre pas la première électrode. La couche émettrice de lumière comporte une structure polycristalline constituée d'un premier matériau semi-conducteur. Un second matériau semi-conducteur différent du premier matériau semi-conducteur est précipité sur les limites de grain de la structure polycristalline.
(JA) 面状発光装置は、互いに対向する2枚の平行な仮想平面上にそれぞれ設けられた第1及び第2の電極と、前記第1及び第2の電極の間に挟まれて設けられた発光層と を備え、前記第1の電極と、前記第1の電極が設けられている前記仮想平面への前記第2の電極の射影とが互いに重ならないと共に、前記発光層は、第1半導体物質よりなる多結晶体構造であって、前記多結晶体構造の粒界に前記第1半導体物質とは異なる第2半導体物質が偏析している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)