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1. (WO2008069145) 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/069145    国際出願番号:    PCT/JP2007/073232
国際公開日: 12.06.2008 国際出願日: 30.11.2007
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
出願人: SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 3-6-3, Kitano, Niiza-shi, Saitama 3528666 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAHASHI, Ryoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAHASHI, Ryoji; (JP)
代理人: TAKANO, Noritsugu; Kaken Building 5-8, Hyakunincho 2-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1690073 (JP)
優先権情報:
2006-326811 04.12.2006 JP
発明の名称: (EN) INSULATING-GATE FET AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) TEC À GRILLE ISOLANTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is an IGFET capable of turning off when voltage of an inverse direction is applied. The IGFET includes an N+ first drain region (6), an N- second drain region (7), a P first body region (8), a P- second body region (9), an N first source region (10a), and an N+ second source region (10b). A gate insulating film (5) and a gate electrode (4) are arranged in a trench (11) formed on a semiconductor substrate (1). The source electrode (3) is in ohmic contact with the N first source region (10a) and the N+ second source region (10b) and in shot key barrier contact with the P- second body region (9).
(FR)L'invention concerne un TEC à grille isolante (IGFET) capable de s'éteindre lorsqu'une tension d'une direction inverse est appliquée. L'IGFET comprend une première région de drain (6) N+, une seconde région de drain (7) N-, une première région de corps (8) P, une seconde région de corps (9) P-, une première région de source N (10a) et une seconde région de source N+ (10b). Un film isolant de grille (5) et une électrode de grille (4) sont disposés dans une tranchée (11) formée sur un substrat semi-conducteur (1). L'électrode de source (3) est en contact ohmique avec la première région de source N (10a) et la seconde région de source N+ (10b) et en contact de diode schottky avec la seconde région de corps (9) P-.
(JA)逆方向電圧が印加された時にオフ状態にすることができるIGFETは、N+型の第1のドレイン領域(6)とN-型の第2のドレイン領域(7)とP型の第1のボデイ領域(8)とP-型の第2のボデイ領域(9)とN型の第1のソース領域(10a)とN+型の第2のソース領域(10b)とを有する。半導体基板(1)に形成されたトレンチ(11)内にゲート絶縁膜(5)とゲート電極(4)とが配置されている。ソース電極(3)はN型の第1のソース領域(10a)とN+型の第2のソース領域(10b)とにオーミック接触していると共にP-型の第2のボデイ領域(9)にショットキーバリア接触している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)