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1. (WO2008069141) 半導体測距素子及び固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/069141    国際出願番号:    PCT/JP2007/073215
国際公開日: 12.06.2008 国際出願日: 30.11.2007
IPC:
G01S 17/10 (2006.01), G01S 17/89 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01)
出願人: National University Corporation Shizuoka University [JP/JP]; 836, Ohya, Suruga-ku, Shizuoka-shi, Shizuoka 4228529 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAWAHITO, Shoji; (米国のみ)
発明者: KAWAHITO, Shoji;
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2006-324501 30.11.2006 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DISTANCE MEASURING ELEMENT AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DE MESURE DE DISTANCE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR D'IMAGERIE
(JA) 半導体測距素子及び固体撮像装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor distance measuring element is provided with a semiconductor region (1), a light receiving surface embedded region (11a), a first charge storing region (12a), a first charge read region (13), a first potential control means (31), a second potential control means (32), a first discharge drain region (14), and a third potential control means (33). A signal charge dependent on a delay time of reflection light in a first repetition cycle is repeatedly transferred from the light receiving surface embedded region (11a) so as to be stored in the first charge storing region (12a) as a first signal charge. All the signal charges generated by reflection light in a second repetition cycle are repeatedly transferred from the light receiving surface embedded region (11a) and are stored in the first charge storing region (12a) as second signal charges. Then, the ratio of the total quantities of the first and the second signal charges is obtained and a distance to an object is measured.
(FR)Un élément semi-conducteur de mesure de distance comporte une région semi-conductrice (1), une région intégrée de surface de réception de lumière (11a), une première région de stockage de charge (12a), une première région de lecture de charge (13), des premiers moyens de commande de potentiel (31), des seconds moyens de commande de potentiel (32), une première région de drain de décharge (14) et des troisièmes moyens de commande de potentiel (33). Une charge de signal dépendant d'un temps de retard de la lumière de réflexion dans un premier cycle de répétition est transférée de façon répétée à partir de la région intégrée de surface de réception de lumière (11a), de façon à être stockée dans la première région (12a) de stockage de charge en tant que première charge de signal. Toutes les charges de signal générées par la lumière de réflexion dans un second cycle de répétition sont transférées de façon répétée à partir de la région (11a) intégrée de surface de réception de lumière et sont stockées dans la première région (12a) de stockage de charge sous forme de secondes charges de signal. Puis, le rapport des quantités totales des première et seconde charges de signal est obtenu et une distance à un objet est mesurée.
(JA) 半導体領域(1)、受光用表面埋込領域(11a)、第1の電荷蓄積領域(12a)と、第1の電荷読み出し領域(13)、第1の電位制御手段(31)、第2の電位制御手段(32)、第1の排出ドレイン領域(14)と、及び第3の電位制御手段(33)とを備え、第1繰り返し周期において反射光の遅れ時間に依存する信号電荷を、受光用表面埋込領域(11a)から繰り返し転送して第1の電荷蓄積領域(12a)に第1信号電荷として蓄積し、第2繰り返し周期において反射光により発生した信号電荷のすべてを受光用表面埋込領域(11a)から繰り返し転送して第1の電荷蓄積領域(12a)に第2信号電荷として蓄積し、蓄積された第1及び第2信号電荷の総量の比を求めて、対象物までの距離を測定する半導体測距素子である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)