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1. (WO2008069060) 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/069060    国際出願番号:    PCT/JP2007/072905
国際公開日: 12.06.2008 国際出願日: 28.11.2007
IPC:
H01L 51/30 (2006.01), C09K 11/06 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/26 (2006.01)
出願人: IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAITO, Masatoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKANO, Yuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAITO, Masatoshi; (JP).
NAKANO, Yuki; (JP).
NAKAMURA, Hiroaki; (JP)
代理人: OHTANI, Tamotsu; OHTANI PATENT OFFICE Bridgestone Toranomon Bldg., 6F. 25-2, Toranomon 3-chome, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2006-327036 04.12.2006 JP
発明の名称: (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND ORGANIC THIN FILM LIGHT EMITTING TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHE MINCE ORGANIQUE ET TRANSISTOR ÉLECTROLUMINESCENT À COUCHE MINCE ORGANIQUE
(JA) 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ
要約: front page image
(EN)In an organic thin film transistor, at least three terminals, which are a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, an insulator layer and an organic semiconductor layer are arranged on a substrate, and a current between the source and the drain is controlled by applying a voltage to the gate electrode. The organic semiconductor layer includes a specified organic compound having an aromatic heterocyclic group at the center. Light is emitted by using the current flowing between the source and the drain, and light emission is controlled by applying a voltage to the gate electrode. Response speed is high and furthermore, an on/off ratio is large. An organic thin film light emitting transistor using such organic thin film transistor is also provided.
(FR)Dans un transistor à couche mince organique, aux moins trois bornes formées par une électrode de grille, une électrode source et une électrode déversoir, une couche d'isolation et une couche semi-conductrice organique sont disposées sur un substrat, et un courant entre la source et le déversoir est commandé par application d'une tension sur l'électrode grille. La couche semi-conductrice organique comprend un composé organique spécifié possédant un groupe hétérocyclique aromatique au niveau du centre. La lumière est émise par l'intermédiaire du courant s'écoulant entre la source et le déversoir et l'émission de lumière est commandée par application d'une tension sur l'électrode de grille. La vitesse de réponse est élevée et, de plus, le rapport marche/arrêt est important. L'invention concerne également un transistor électroluminescent à couche mince organique utilisant le transistor à couche mince organique.
(JA) 少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース-ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、中心に芳香族複素環基を有する特定の有機化合物を含む有機薄膜トランジスタ、並びに有機薄膜トランジスタにおいて、ソース-ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタによって、応答速度が高速で、しかもオン/オフ比が大きい有機薄膜トランジスタ及びそれを利用した有機薄膜発光トランジスタを提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)