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1. (WO2008068967) 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/068967    国際出願番号:    PCT/JP2007/070553
国際公開日: 12.06.2008 国際出願日: 22.10.2007
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HONJOU, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUZUKI, Tetsuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHSHIMA, Norikazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HONJOU, Hiroaki; (JP).
SUZUKI, Tetsuhiro; (JP).
OHSHIMA, Norikazu; (JP)
代理人: KUDOH, Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome Shinagawa-ku, Tokyo 1400013 (JP)
優先権情報:
2006-329810 06.12.2006 JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) MÉMOIRE MAGNÉTIQUE À ACCÈS ALÉATOIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is an MRAM comprising a pin layer (60) and a magnetic recording layer (40) connected through a tunnel barrier layer (50) with the pin layer (60). The magnetic recording layer (40) includes a first free layer (10), a second free layer (30) for contacting the tunnel barrier layer (50), and an intermediate layer (20) interposed between the first free layer (10) and the second free layer (30). The first free layer (10) includes a magnetization inverting region (13), a first magnetization fixing region (11) and a second magnetization fixing region (12). The magnetization inverting region (13) has an invertible magnetization and overlaps the second free layer (30). The first magnetization fixing region (11) is connected with a first boundary (B1) of the magnetization inverting region (13) and has its magnetization direction fixed in a first direction. On the other hand, the second magnetization fixing region (12) is connected with a secondary boundary (B2) of the magnetization inverting region (13) and has its magnetization direction fixed in a second direction. Both the first direction and the second direction are directed toward the magnetization inverting region (13) or away from the magnetization inverting region (13). The intermediate layer (20) is so formed as to cover at least the magnetization inverting region (13). This magnetization inverting region (13) and the second free layer (30) are magnetically coupled through the intermediate layer (20).
(FR)L'invention propose une mémoire magnétique à accès aléatoire (MRAM) comportant une couche de broche (60), et une couche (40) d'enregistrement magnétique connectée par l'intermédiaire d'une couche barrière tunnel (50) à la couche de broche (60). La couche d'enregistrement magnétique (40) comprend une première couche libre (10), une seconde couche libre (30) pour entrer en contact avec la couche de barrière de tunnel (50), et une couche intermédiaire (20) interposée entre la première couche libre (10) et la seconde couche libre (30). La première couche libre (10) comprend une région (13) d'inversion de magnétisation, une première région (11) de fixation de magnétisation et une seconde région (12) de fixation de magnétisation. La région (13) d'inversion de magnétisation présente une magnétisation inversable et chevauche la seconde couche libre (30). La première région (11) de fixation de magnétisation est connectée à une première limite (B1) de la région (13) d'inversion de magnétisation et sa direction de magnétisation est fixée dans une première direction. Par ailleurs, la seconde région (12) de fixation de magnétisation est connectée à une seconde limite (B2) de la région (13) d'inversion de magnétisation et sa direction de magnétisation est fixée dans une seconde direction. Et la première direction et la seconde direction sont dirigées vers la région (13) d'inversion de magnétisation ou à l'opposé de la région (13) d'inversion de magnétisation. La couche intermédiaire (20) est formée de façon à recouvrir au moins la région (13) d'inversion de magnétisation. Cette région (13) d'inversion de magnétisation et la seconde couche libre (30) sont couplées magnétiquement par l'intermédiaire de la couche intermédiaire (20).
(JA) 本発明に係るMRAMは、ピン層60と、トンネルバリヤ層50を介してピン層60に接続された磁気記録層40とを備える。磁気記録層40は、第1フリー層10と、トンネルバリヤ層50に接触する第2フリー層30と、第1フリー層10と第2フリー層30との間に設けられた中間層20とを有する。第1フリー層10は、磁化反転領域13と、第1磁化固定領域11と、第2磁化固定領域12とを含む。磁化反転領域13は、反転可能な磁化を有し、第2フリー層30とオーバーラップする。第1磁化固定領域11は、磁化反転領域13の第1境界B1に接続され、その磁化の向きは第1方向に固定される。一方、第2磁化固定領域12は、磁化反転領域13の第2境界B2に接続され、その磁化の向きは第2方向に固定される。第1方向及び第2方向は共に、磁化反転領域13へ向かう方向、又は、磁化反転領域13から離れる方向である。中間層20は、少なくとも磁化反転領域13を覆うように形成される。その磁化反転領域13と第2フリー層30は、中間層20を介して磁気的に結合している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)