WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2008068917) 半導体製造排ガスの除害装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/068917    国際出願番号:    PCT/JP2007/062396
国際公開日: 12.06.2008 国際出願日: 20.06.2007
IPC:
B01D 53/68 (2006.01), B01D 53/34 (2006.01), B01D 53/70 (2006.01), B01J 19/08 (2006.01)
出願人: KANKEN TECHNO CO., LTD. [JP/JP]; 30-2, Kotari Ota, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6170833 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KATO, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
BEPPU, Tatsuro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IMAMURA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KATO, Toshiaki; (JP).
BEPPU, Tatsuro; (JP).
IMAMURA, Hiroshi; (JP)
代理人: MORI, Yoshiaki; Room 911 Osaka-Ekimae, Dai-4 Bldg., 11-4, Umeda 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300001 (JP)
優先権情報:
2006-326227 01.12.2006 JP
発明の名称: (EN) DEVICE FOR DETOXICATING SEMICONDUCTOR PRODUCTION EXHAUST GAS
(FR) DISPOSITIF DE DÉTOXIFICATION DE GAZ D'ÉCHAPPEMENT DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体製造排ガスの除害装置
要約: front page image
(EN)A device for detoxicating semiconductor production exhaust gas capable of long-term, continuous operation while exhibiting excellent space saving performance, by which semiconductor production exhaust gas of high flow rate containing PFCs, and the like, can be detoxicated surely and efficiently. The device is characterized by comprising a plurality of detoxization units (12) that consist of a plasma jet torch (18) and a reaction tube (24) provided on the plasma jet ejection side of the plasma jet torch (18) to surround plasma jet (P) and exhaust gas (F) supplied toward the plasma jet (P) and performing thermal decomposition on the exhaust gas (F) internally and that are connected with semiconductor production equipment (16) through each inlet piping (38) provided with an inlet valve (40) for opening/closing the channel, and each outlet piping (37) provided with an outlet valve (35) for opening/closing the channel and communicating with the exhaust side end of each reaction tube (24).
(FR)La présente invention concerne un dispositif de détoxification de gaz d'échappement de production de semi-conducteurs capable d'un fonctionnement en continu sur une longue période tout en ayant une excellente performance d'économie d'espace, grâce auquel le gaz d'échappement de production de semi-conducteurs de haut débit contenant des PFC et analogues, peut être détoxifié de manière sécurisée et efficace. Le dispositif est caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité d'unités de détoxification (12) qui sont constitués d'une torche à plasma (18) et d'un tube de réaction (24) prévu sur le côté de projection de jet plasma de la torche à plasma (18) pour entourer le jet plasma (P) et le gaz d'échappement (F) alimenté vers le jet plasma (P) et la réalisation interne d'une décomposition thermique sur le gaz d'échappement (7) et qui sont connectées à l'équipement de production de semi-conducteurs (16) via chaque canalisation d'entrée (38) munie d'une soupape d'admission (40) pour ouvrir/fermer le passage, et chaque canalisation de sortie (37) munie d'une soupape de sortie (35) pour ouvrir/fermer le passage et communiquer avec l'extrémité côté échappement de chaque tube de réaction (24).
(JA) PFCs等を含む大流量の半導体製造排ガスを確実に且つ効率的に除害できると共に、長期間連続運転が可能で省スペース性にも優れた半導体製造排ガスの除害装置を提供する。プラズマジェットトーチ(18)と、プラズマジェットトーチ(18)のプラズマジェット噴出側に設けられ、プラズマジェット(P)およびこのプラズマジェット(P)に向けて供給される排ガス(F)を囲繞し、その内部にて排ガス(F)の熱分解を行なう反応筒(24)とで構成され、流路を開閉する入口バルブ(40)が設けられた個別入口配管(38)を介して半導体製造装置(16)に接続される複数の除害ユニット(12)、および流路を開閉する出口バルブ(35)が設けられ、各反応筒(24)の排出側端部に連通する個別出口配管(37)を具備することを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)