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1. (WO2008068903) 半導体リソグラフィー用共重合体とその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/068903    国際出願番号:    PCT/JP2007/001353
国際公開日: 12.06.2008 国際出願日: 05.12.2007
IPC:
C08F 220/28 (2006.01), C08F 2/06 (2006.01), C08F 212/14 (2006.01), C08F 220/38 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: MARUZEN PETROCHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 25-10, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048502 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMAGISHI, Takanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUDO, Masaaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAGUCHI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMAGISHI, Takanori; (JP).
KUDO, Masaaki; (JP).
YAMAGUCHI, Satoshi; (JP)
代理人: THE PATENT CORPORATE BODY ARUGA PATENT OFFICE; Kyodo Bldg., 3-6, Nihonbashiningyocho 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
優先権情報:
2006-329535 06.12.2006 JP
発明の名称: (EN) COPOLYMER FOR SEMICONDUCTOR LITHOGRAPHY AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COPOLYMÈRE POUR UNE LITHOGRAPHIE DE SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体リソグラフィー用共重合体とその製造方法
要約: front page image
(EN)A copolymer for semiconductor lithography and a process for producing the copolymer. The copolymer for semiconductor lithography comprises at least one kind of repeating units selected among (A) hydroxylated repeating units, (B) repeating units having a structure in which a hydroxy group is protected by a group which inhibits dissolution in an alkaline developing solution and dissociates by the action of an acid, (C) repeating units having a lactone structure, and (D) repeating units having a cyclic ether structure, and is characterized in that when a propylene glycol monomethyl ether acetate solution containing the copolymer and having a viscosity of 15 mPa sec is passed through a filter having a pore diameter of 0.03 µm at a pressure difference of 0.1 MPa for 60 minutes, the average flow velocity per unit filter area is 200 g/min/m2 or higher.
(FR)L'invention porte sur un copolymère pour une lithographie de semi-conducteur et sur un procédé de fabrication du copolymère. Le copolymère pour une lithographie semi-conductrice comprend au moins une sorte d'unités répétitives choisies parmi (A) des unités répétitives hydroxylées, (B) des unités répétitives ayant une structure dans laquelle un groupe hydroxy est protégé par un groupe qui inhibe la dissolution dans une solution de développement alcaline et se dissocie par l'action d'un acide, (C) des unités répétitives ayant une structure de lactone, et (D) des unités répétitives ayant une structure d'éther cyclique, et est caractérisé par le fait que, lorsqu'une solution de monométhyl éther acétate de propylène glycol contenant le copolymère et ayant une viscosité de 15 mPa sec est amené à passer à travers un filtre ayant un diamètre de pore de 0,03 µm à une différence de pression de 0,1 MPa pendant 60 minutes, la vitesse d'écoulement moyenne par aire de filtre unitaire est de 200 g/min/m² ou plus.
(JA) 半導体リソグラフィー用共重合体と、該共重合体の製造方法の提供。  水酸基を有する繰り返し単位(A)、アルカリ現像液への溶解を抑制すると共に酸の作用で解離する基で水酸基を保護した構造を有する繰り返し単位(B)、ラクトン構造を有する繰り返し単位(C)及び環状エーテル構造を有する繰り返し単位(D)から選ばれる少なくとも1種以上の繰り返し単位を含む共重合体であって、該共重合体を含む、粘度が15mPa・secのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を、圧力差0.1MPaで細孔径0.03μmのフィルターに60分間通液したときのフィルター面積当たりの平均流速が200g/min/m2以上であることを特徴とする半導体リソグラフィー用共重合体及びその製造法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)