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1. (WO2008068807) 半導体装置の製造方法および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/068807    国際出願番号:    PCT/JP2006/323980
国際公開日: 12.06.2008 国際出願日: 30.11.2006
IPC:
H01L 27/105 (2006.01)
出願人: RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 4-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006334 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORIKAWA, Takahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TERAO, Motoyasu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAURA, Norikatsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUROTSUCHI, Kenzo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MORIKAWA, Takahiro; (JP).
TERAO, Motoyasu; (JP).
TAKAURA, Norikatsu; (JP).
KUROTSUCHI, Kenzo; (JP)
代理人: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 6th Floor, Kokusai Chusei Kaikan, 14, Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020076 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法および半導体装置
要約: front page image
(EN)A plug (43) as a lower electrode is embedded in the opening (42) of an insulating film (41) formed on a semiconductor substrate, and a phase change memory is formed by forming a recording layer (52) composed of chalcogenide and an upper electrode film (53) on the insulating film (41) embedding the plug (43). An amorphous region (52a) of high resistance is formed near the interface of an insulating film (51) and the recording layer (52) immediately after ending a wafer process, and the resistance is decreased by initializing the recording layer (52). When initializing the recording layer (52), a current is fed to the recording layer (52) by applying a voltage between the plug (43) and the upper electrode film (53) while heating the semiconductor substrate. A portion of the amorphous region (52a) located above the plug (43) is thereby crystallized and the resistance of the recording layer (52) is decreased between the plug (43) and the upper electrode film (53).
(FR)Une fiche (43) sous forme d'électrode inférieure est incorporée dans l'ouverture (42) d'un film isolant (41) formé sur un substrat semi-conducteur, et une mémoire à changement de phase est formée par formation d'un couche d'enregistrement (52) composée de chalcogénure et un film d'électrode supérieur (53) sur le film isolant (41) incorporant la fiche (43). Une région amorphe (52a) de résistance élevée est formée près de l'interface d'un film isolant (51) et la couche d'enregistrement (52) immédiatement après avoir terminé un traitement de tranche, et la résistance est diminuée par initialisation de la couche d'enregistrement (52). Lors de l'initialisation de la couche d'enregistrement (52), un courant est adressé à la couche d'enregistrement (52) par application d'une tension entre la fiche (43) et le film d'électrode supérieur (53) tout en chauffant le substrat semi-conducteur. Une partie de la région amorphe (52a) située au dessus de la fiche (43) est ainsi cristallisée et la résistance de la couche d'enregistrement (52) est diminuée entre la fiche (43) et le film d'électrode supérieur (53).
(JA) 半導体基板上に形成された絶縁膜(41)の開口部(42)内に下部電極としてのプラグ(43)が埋め込まれ、プラグ(43)が埋め込まれた絶縁膜(41)上にカルコゲナイドからなる記録層(52)と上部電極膜(53)が形成されて相変化メモリが形成される。ウエハ・プロセス終了直後には、絶縁膜(51)と記録層(52)の界面近傍に高抵抗の非晶質領域(52a)が形成されているので、記録層(52)を初期化して低抵抗化する。記録層(52)を初期化する際には、半導体基板を加熱しながらプラグ(43)と上部電極巻く(53)の間に電圧を印加して記録層52に電流を流す。これにより、非晶質領域(52a)のうちのプラグ(43)の上方に位置する部分を結晶化し、それによって、プラグ(43)と上部電極膜(53)の間の記録層52を低抵抗化する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)