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1. (WO2008068800) 抵抗記憶素子及びその製造方法、並びに不揮発性半導体記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/068800    国際出願番号:    PCT/JP2006/323938
国際公開日: 12.06.2008 国際出願日: 30.11.2006
IPC:
H01L 27/10 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOSHIDA, Chikako [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NOSHIRO, Hideyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IIDUKA, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YOSHIDA, Chikako; (JP).
NOSHIRO, Hideyuki; (JP).
IIDUKA, Takashi; (JP)
代理人: KITANO, Yoshihito; Exceed Yotsuya 2nd Floor 9, Daikyo-cho, Shinjuku-k 9, Daikyo-cho, Shinjuku-ku Tokyo 1600015 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) RESISTANCE STORAGE ELEMENT, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE STOCKAGE DE RÉSISTANCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET DISPOSITIF DE STOCKAGE SEMI-CONDUCTEUR NON VOLATILE
(JA) 抵抗記憶素子及びその製造方法、並びに不揮発性半導体記憶装置
要約: front page image
(EN)A resistance storage element for storing a high resistance state and a low resistance state and switching between the high resistance state and the low resistance state by applying a voltage. The resistance storage element comprises an electrode layer (14) made of a titanium nitride film, a resistance storage layer (16) formed on the electrode layer (14) and made of a titanium oxide film having a crystal structure of rutile phase, and an electrode layer (18) formed on the resistance storage layer (16). A resistance storage element having a high switching speed and a small switching current can thereby be achieved. A nonvolatile semiconductor storage device exhibiting high writing speed and less power consumption can be constituted by using such a resistance storage element.
(FR)L'invention concerne un élément de stockage de résistance pour stocker un état de résistance haut et un état de résistance bas et pour commuter entre l'état de résistance haut et l'état de résistance bas par l'application d'une tension. L'élément de stockage de résistance comprend une couche d'électrode (14) faite d'un film de nitrure de titane, une couche de stockage de résistance (16) formée sur la couche d'électrode (14) et faite d'un film d'oxyde de titane ayant une structure cristalline de phase de rutile, et une couche d'électrode (18) formée sur la couche de stockage de résistance (16). Un élément de stockage de résistance ayant une vitesse de commutation élevée et un courant de commutation faible peut par conséquent être obtenu. Un dispositif de stockage semi-conducteur non volatile présentant une vitesse d'écriture élevée et une consommation d'énergie moindre peut être constitué à l'aide d'un tel élément de stockage de résistance.
(JA) 高抵抗状態と低抵抗状態とを記憶し、電圧の印加によって高抵抗状態と前記低抵抗状態とを切り換える抵抗記憶素子であって、窒化チタン膜よりなる電極層14と、電極層14上に形成され、ルチル相の結晶構造を有する酸化チタン膜よりなる抵抗記憶層16と、抵抗記憶層16上に形成された電極層18とを有する。これにより、スイッチング速度が速く且つスイッチング電流の小さい抵抗記憶素子を実現することができる。また、このような抵抗記憶素子を用いることにより、書き込み速度が高速で、しかも消費電力の少ない不揮発性半導体記憶装置を構成することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)