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1. (WO2008065861) 大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/065861    国際出願番号:    PCT/JP2007/071537
国際公開日: 05.06.2008 国際出願日: 06.11.2007
IPC:
C23C 16/505 (2006.01), C08J 7/00 (2006.01), G03G 5/08 (2006.01), G03G 15/08 (2006.01)
出願人: Konica Minolta Business Technologies, Inc. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SV, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
MAEHARA, Yuichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKKA, Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MAEHARA, Yuichiro; (JP).
SAKKA, Kenji; (JP)
優先権情報:
2006-318194 27.11.2006 JP
発明の名称: (EN) ATMOSPHERIC PLASMA PROCESSING APPARATUS AND ATMOSPHERIC PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA À PRESSION ATMOSPHÉRIQUE ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA À PRESSION ATMOSPHÉRIQUE
(JA) 大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法
要約: front page image
(EN)There is provided an atmospheric plasma processing apparatus capable of forming a thin film having high uniformity on a cylindrical substrate stably and with high productivity. The atmospheric plasma processing apparatus has at least two substrate carrying units each holding the cylindrical substrate by a roll electrode and a guide roll and disposed at positions opposing each other. A gas containing a thin film forming gas is supplied to a discharge space formed between the opposing roll electrodes under an atmospheric pressure or a pressure near the atmospheric pressure, and a high-frequency electric field is applied to the discharge space, thereby exciting the gas. At least the two cylindrical substrates are exposed to the excited gas, so that thin films are simultaneously formed.
(FR)L'invention concerne un appareil de traitement par plasma à pression atmosphérique, capable de former un film mince ayant une uniformité élevée sur un substrat cylindrique de façon stable et avec une productivité élevée. L'appareil de traitement par plasma à pression atmosphérique présente au moins deux unités de support de substrat, supportant chacune le substrat cylindrique par une électrode à rouleau et un rouleau de guidage et disposées à des positions opposées l'une à l'autre. Un gaz contenant un gaz formant un film mince est adressé à un espace de décharge formé entre les électrodes à rouleau opposées sous une pression atmosphérique ou sous une pression proche de la pression atmosphérique, et un champ électrique haute fréquence est appliqué à l'espace de décharge, excitant par là le gaz. Au moins les deux substrats cylindriques sont exposés au gaz excité, de telle sorte que des films minces sont formés simultanément.
(JA) 本発明は、円筒状基材上に、膜均一性の高い薄膜を安定し、かつ高生産性で形成できる大気圧プラズマ処理装置を提供する。この大気圧プラズマ処理装置は、円筒状基材をロール電極とガイドロールとで担持した基材搬送ユニットを、それぞれ対向した位置に少なくとも2つ有し、大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する該ロール電極間に形成した放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスを励起し、少なくとも2つの該円筒状基材を励起した前記ガスに晒すことにより、同時に薄膜を形成することを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)