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1. (WO2008065804) 半導体素子の製造装置及び製造方法、並びにその製造方法により製造された半導体素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/065804    国際出願番号:    PCT/JP2007/069467
国際公開日: 05.06.2008 国際出願日: 04.10.2007
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/54 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SV, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
OCHI, Hisao; (米国のみ)
発明者: OCHI, Hisao;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg. 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2006-325866 01.12.2006 JP
発明の名称: (EN) APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURED BY THE METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ PERMETTANT LA FABRICATION D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR FABRIQUE PAR LE PROCÉDÉ
(JA) 半導体素子の製造装置及び製造方法、並びにその製造方法により製造された半導体素子
要約: front page image
(EN)A semiconductor element manufacturing apparatus is provided with processing chambers (C1-C3) for storing flexible substrates (10) which are step-transferred by each effective region; a first electrode (Hb) and a second electrode (Hc) arranged in each of the processing chambers (C1-C3); and a mask section (23a) opened to expose the effective region when each effective region of the flexible substrate (10) is transferred between the first electrode (Hb) and the second electrode (Hc). Each of the processing chambers (C1-C3) is provided with a plasma processing section for performing plasma processing to the effective region of the flexible substrate (10) exposed from the opened portion of the mask section (23a); a first standby section where the effective region of the flexible substrate (10) prior to plasma processing is arranged by being superposed on the carry-in side of the mask section (23a); and a second standby section where the effective region of the flexible substrate (10) after plasma processing is arranged by being superposed on the carry-out side of the mask section (23a).
(FR)La présente invention se rapporte à un appareil de fabrication d'élément semi-conducteur qui comporte des chambres de traitement (C1 à C3) pour stocker des substrats flexibles (10) qui sont transférés par étape par chaque région effective ; une première électrode (Hb) et une seconde électrode (Hc) agencées dans chacune des chambres de traitement (C1 à C3) ; et une section de masque (23a) ouverte pour exposer la région effective lorsque chaque région effective du substrat flexible (10) est transférée entre la première électrode (Hb) et la seconde électrode (Hc). Chacune des chambres de traitement (C1 à C3) comporte une section de traitement par plasma pour réaliser un traitement par plasma sur la région effective du substrat flexible (10) exposée depuis la partie ouverte de la section de masque (23a) ; une première section de repos où la région effective du substrat flexible (10) avant le traitement par plasma est agencée en étant superposée sur le côté d'entrée de la section de masque (23a) ; et une seconde section de repos où la région effective du substrat flexible (10) après le traitement par plasma est agencée en étant superposée sur le côté de sortie de la section de masque (23a).
(JA) 各有効領域毎にステップ搬送される可撓性基板(10)を収容する各処理室(C1~C3)と、各処理室(C1~C3)に設けられた第1電極(Hb)及び第2電極(Hc)と、可撓性基板(10)の各有効領域が第1電極(Hb)及び第2電極(Hc)の間に搬送されたときにその有効領域を露出させるように開口したマスク部(23a)とを備え、各処理室(C1~C3)は、マスク部(23a)の開口部分から露出した可撓性基板(10)の有効領域に対しプラズマ処理を行うためのプラズマ処理部と、マスク部(23a)の搬入側に重畳してプラズマ処理前の可撓性基板(10)の有効領域が配置する第1待機部と、マスク部(23a)の搬出側に重畳してプラズマ処理後の可撓性基板(10)の有効領域が配置する第2待機部とを備えている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)