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1. (WO2008062888) レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/062888    国際出願番号:    PCT/JP2007/072704
国際公開日: 29.05.2008 国際出願日: 19.11.2007
IPC:
G03F 7/11 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: JSR CORPORATION [JP/JP]; 6-10, Tsukiji 5-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048410 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOSHIMURA, Nakaatsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KONNO, Yousuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YOSHIMURA, Nakaatsu; (JP).
KONNO, Yousuke; (JP)
代理人: WATANABE, Kazuhira; 3rd Fl., No.8 Kikuboshi Tower Building, 20-18, Asakusabashi 3-chome, Taito-ku, Tokyo 1110053 (JP)
優先権情報:
2006-313128 20.11.2006 JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR RESIST LOWER LAYER FILM FORMATION AND METHOD FOR PATTERN FORMATION
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE COUCHE INFERIEURE DE RESERVE ET PROCEDE DE FORMATION DE MOTIF
(JA) レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
要約: front page image
(EN)This invention provides a composition for resist lower layer film formation, which has excellent etching resistance and, in a dry etching process, is less likely to cause bending of a lower layer film pattern, and can transfer a resist pattern faithfully onto a substrate to be processed with high reproducibility. The composition for resist lower layer film formation comprises (A) an aminated fullerene comprising at least one amino group attached to a fullerene skeleton and (B) a solvent.
(FR)L'invention concerne une composition de formation d'un film de couche inférieure de réserve. Cette composition présente une excellente résistance à la gravure et est moins susceptible, dans un processus de gravure à sec, d'entraîner une déformation d'un motif de film de couche inférieure. De plus, cette composition permet de transférer fidèlement un motif de réserve sur un substrat à traiter, avec une reproductibilité élevée. La composition selon l'invention contient (A) un fullerène aminé contenant au moins un groupe amino lié à un squelette fullerène et (B) un solvant.
(JA) 本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、フラーレン骨格に少なくとも1つのアミノ基が結合した(A)アミノ化フラーレンと、(B)溶剤と、を含有するレジスト下層膜形成用組成物であり、エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて、下層膜パターンが折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)