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1. (WO2008062723) ビスマス化合物による無機陰イオン交換体およびそれを用いた電子部品封止用樹脂組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/062723    国際出願番号:    PCT/JP2007/072265
国際公開日: 29.05.2008 国際出願日: 16.11.2007
IPC:
C01G 29/00 (2006.01), B01J 41/10 (2006.01), C08K 3/28 (2006.01), C08L 101/00 (2006.01), C09D 7/12 (2006.01), C09J 11/04 (2006.01), C09K 3/10 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01)
出願人: TOAGOSEI CO., LTD. [JP/JP]; 1-14-1, Nishi-Shimbashi, Minato-ku, Tokyo 1058419 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ONO, Yasuharu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ONO, Yasuharu; (JP)
優先権情報:
2006-312421 20.11.2006 JP
発明の名称: (EN) INORGANIC ANION EXCHANGER COMPOSED OF BISMUTH COMPOUND AND RESIN COMPOSITION FOR ELECTRONIC COMPONENT ENCAPSULATION USING THE SAME
(FR) ECHANGEUR D'ANIONS INORGANIQUES CONSTITUÉ D'UN COMPOSÉ DE BISMUTH ET D'UNE COMPOSITION DE RÉSINE POUR L'ENCAPSULATION D'UN COMPOSANT ÉLECTRONIQUE EN UTILISANT CELUI-CI
(JA) ビスマス化合物による無機陰イオン交換体およびそれを用いた電子部品封止用樹脂組成物
要約: front page image
(EN)Disclosed is a novel bismuth compound which is useful as an inorganic anion exchanger to be used for a semiconductor encapsulating material or the like. Specifically disclosed is a novel bismuth compound represented by the formula (1) below, wherein the peak intensity at 2ϑ = 27.9˚-28.1˚ is 900-2000 cps and the peak intensity at 2ϑ =8.45˚-8.55˚ is 100-800 cps in the powder X-ray diffraction pattern. This bismuth compound solves the problems of publicly known inorganic anion exchangers, and exhibits a high performance while being environmentally friendly. Bi(OH)x(NO3)y•nH2O (1) (In the formula (1), x represents a positive number not less than 2.5 but less than 3, y represents a positive number not more than 0.5, and x + y = 3; and n represents 0 or a positive number.)
(FR)L'invention concerne un nouveau composé de bismuth qui est utile en tant qu'échangeur d'anion inorganique à utiliser pour un matériau d'encapsulation semi-conducteur ou autre. L'invention concerne spécifiquement un nouveau composé de bismuth représenté par la formule (1) ci-dessous, dans laquelle le pic d'intensité à 2ϑ = 27,9˚-28,1˚ est de 900-2000 cps et le pic d'intensité à 2ϑ =8,45˚-8,55˚ est de 100-800 cps dans le profil de diffraction de rayon X sur poudre. Ce composé de bismuth résout les problèmes des échangeurs d'anions inorganiques connus et présente une haute performance tout en respectant l'environnement. Bi(OH)x(NO3)y•nH2O (1) (Dans la formule (1), x représente un nombre positif non inférieur à 2,5 mais inférieur à 3, y représente un nombre positif non supérieur à 0,5, et x + y = 3; et n représente 0 ou un nombre positif.)
(JA) 本発明は、半導体封止材等に使用される無機陰イオン交換体として有用な新規ビスマス化合物に関するものである。粉末X線回折パターンにおける2θ=27.9°~28.1°のピーク強度が900~2000cpsで、且つ2θ=8.45°~8.55°のピーク強度が100~800cpsである下記式(1)で表される新規なビスマス化合物は、公知の無機陰イオン交換体の問題点を解決し、環境に優しく高性能である。 Bi(OH)x(NO3y・nH2O (1) (式(1)において、xは2.5以上3未満の正数であり、yは0.5以下の正数であり、x+y=3の値を満たすものであり、nは0または正数である。)
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)