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1. (WO2008062715) 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/062715    国際出願番号:    PCT/JP2007/072201
国際公開日: 29.05.2008 国際出願日: 15.11.2007
IPC:
H01L 51/30 (2006.01), C09K 11/06 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
出願人: IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAITO, Masatoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKANO, Yuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAITO, Masatoshi; (JP).
NAKANO, Yuki; (JP).
NAKAMURA, Hiroaki; (JP)
代理人: OHTANI, Tamotsu; OHTANI PATENT OFFICE Bridgestone Toranomon Bldg. 6F. 25-2, Toranomon 3-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2006-317086 24.11.2006 JP
発明の名称: (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND ORGANIC THIN FILM LIGHT-EMITTING TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ORGANIQUES ET TRANSISTOR ÉLECTROLUMINESCENT À COUCHES MINCES ORGANIQUES
(JA) 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ
要約: front page image
(EN)Disclosed is an organic thin film transistor wherein at least three terminals, namely a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, an insulating layer and an organic semiconductor layer are formed on a substrate, and the source-drain current is controlled by applying a voltage to the gate electrode. In this organic thin film transistor, the organic semiconductor layer contains a specific organic compound which has an acetylene or olefin structure in the center. This organic thin film transistor has high response speed and high on/off ratio. Also disclosed is an organic thin film light-emitting transistor using such an organic thin film transistor, wherein light emission is obtained by utilizing the source-drain current in the organic thin film transistor, while controlling the light emission by applying a voltage to the gate electrode.
(FR)La présente invention concerne un transistor à couches minces organiques dans lequel au moins trois terminaux, à savoir, une électrode de grille, une électrode de source et une électrode de drain, une couche isolante et une couche semi-conductrice organique sont formés sur un substrat, et le courant source-drain est commandé par l'application d'une tension à l'électrode de grille. Dans ledit transistor, la couche semi-conductrice organique contient un composé organique spécifique présentant une structure d'acétylène ou d'oléfine au centre. Ledit transistor présente une vitesse de réponse élevée et un rapport marche/arrêt élevé. L'invention concerne également un transistor électroluminescent à couches minces organiques utilisant un tel transistor à couches minces organiques, dans lequel une émission lumineuse est obtenue par l'utilisation du courant source-drain dans le transistor à couches minces organiques, tout en contrôlant l'émission de lumière par application d'une tension sur l'électrode de grille.
(JA) 少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース-ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、中心にアセチレン又はオレフィン構造を有する特定の有機化合物を含む有機薄膜トランジスタ、並びに有機薄膜トランジスタにおいて、ソース-ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタによって、応答速度が高速で、しかもオン/オフ比が大きい有機薄膜トランジスタ及びそれを利用した有機薄膜発光トランジスタを提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)