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1. (WO2008062685) 光電変換装置用透明導電膜付基板、及びその製造方法、並びにそれを用いた光電変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/062685    国際出願番号:    PCT/JP2007/071902
国際公開日: 29.05.2008 国際出願日: 12.11.2007
IPC:
H01L 31/04 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), H01L 31/042 (2006.01)
出願人: KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAWADA, Yuko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAWADA, Yuko; (JP)
共通の
代表者:
KANEKA CORPORATION; 2-4, Nakanoshima 3-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5308288 (JP)
優先権情報:
2006-313336 20.11.2006 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROVIDED WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SUBSTRATE, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE USING THE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT ACCOMPAGNÉ DE FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT POUR DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE L'UTILISANT
(JA) 光電変換装置用透明導電膜付基板、及びその製造方法、並びにそれを用いた光電変換装置
要約: front page image
(EN)Provided is a low-cost substrate having a transparent conductive film for photoelectric conversion device, which can improve performance of the photoelectric conversion device by effectively increasing surface unevenness of the substrate and increasing light confining effects. A method for manufacturing such substrate, and a photoelectric conversion device having improved performance by using such substrate are also provided. The substrate provided with the transparent conductive film for the photoelectric conversion device is provided with a translucent insulating substrate and a transparent electrode layer containing at least zinc oxide deposited on the substrate. The transparent electrode is composed of a double layer structure wherein first and second transparent conductive films are deposited from the substrate side. The transparent conductive film has an average film thickness of 10-500nm, and the second transparent conductive film has an average film thickness of 300-1,500nm. The average film thickness of the second transparent conductive film is larger than that of the first transparent conductive film, an average height difference of the unevenness on the surface of the second transparent conductive film is 10-300nm, which is larger than that of the first transparent conductive film.
(FR)La présente invention concerne un substrat peu coûteux possédant un film conducteur transparent pour un dispositif de conversion photoélectrique, qui peut améliorer la performance du dispositif de conversion photoélectrique en augmentant de manière efficace l'inégalité de surface du substrat et en augmentant les effets de confinement de lumière. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication d'un tel substrat et un dispositif de conversion photoélectrique possédant une performance améliorée en utilisant un tel substrat. Le substrat possédant le film conducteur transparent pour le dispositif de conversion photoélectrique est accompagné d'un substrat d'isolation translucide et d'une couche d'électrode transparente contenant au moins de l'oxyde de zinc déposé sur le substrat. L'électrode transparente se compose d'une structure à double couche dans laquelle un premier et un second films conducteurs transparents sont déposés à partir du côté du substrat. Le premier film conducteur transparent a une épaisseur de film moyenne de 10-500 nm et le second film conducteur transparent a une épaisseur moyenne de 300-1 500 nm. L'épaisseur moyenne de film du second film conducteur transparent est supérieure à celle du premier, la différence de hauteur moyenne d'inégalité de surface du second film est de 10-300 nm, ce qui est supérieur à celle du premier film.
(JA) 光電変換装置用透明導電膜付基板の表面凹凸を効果的に増大させて光閉じ込め効果を大きくすることで、光電変換装置の性能を改善可能とする安価な光電変換装置用透明導電膜付基板、及びその製造方法を提供し、さらにその基板を用いた性能が改善された光電変換装置を提供することを課題とする。本発明の光電変換装置用透明導電膜付基板は、透光性絶縁基板とその上に堆積された少なくとも酸化亜鉛を含む透明電極層を有し、前記透明電極は基板側から第1および第2の透明導電膜を堆積した2層構造からなり、前記第1透明導電膜は平均膜厚が10~500nmであり、前記第2透明導電膜は平均膜厚が300~1500nmであり、前記第1透明導電膜の平均膜厚よりも前記第2透明導電膜の平均膜厚のほうが大きく、前記第2透明導電膜の表面の凹凸の平均高低差が10~300nmであり表面の凹凸の平均高低差が第1透明導電膜のそれよりも大きいことを特徴とする。                                                                                       
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)