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1. (WO2008059946) 抵抗変化型記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/059946    国際出願番号:    PCT/JP2007/072254
国際公開日: 22.05.2008 国際出願日: 16.11.2007
IPC:
G11C 13/00 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KATOH, Yoshikazu; (米国のみ).
SHIMAKAWA, Kazuhiko; (米国のみ).
WEI, Zhiqiang; (米国のみ)
発明者: KATOH, Yoshikazu; .
SHIMAKAWA, Kazuhiko; .
WEI, Zhiqiang;
代理人: SUMIDA, Yoshihiro; PATENT CORPORATE BODY ARCO PATENT OFFICE 3rd Fl., Bo-eki Bldg., 123-1, Higashimachi Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500031 (JP)
優先権情報:
2006-310913 17.11.2006 JP
発明の名称: (EN) RESISTANCE CHANGE TYPE MEMORY
(FR) MÉMOIRE DE TYPE À CHANGEMENT DE RÉSISTANCE
(JA) 抵抗変化型記憶装置
要約: front page image
(EN)A resistance change type memory (100) uses a resistance change type element (22) which transits between a plurality of resistance states with an electric pulse of the same polarity. The resistance change type memory includes a series resistance setting device (10) which can set a resistance value of a series current path and a parallel resistance setting device (30) which can set a resistance value of a parallel current path as follows. That is, after the resistance change type element (22) has changed to a high resistance state, the node potential does not exceed a second voltage level even if an electric pulse application device (50) outputs a first electric pulse and after the resistance change type element (22) has changed to a low resistance state, the node potential does not exceed a first second voltage level even if the electric pulse application device (50) outputs a second electric pulse.
(FR)Une mémoire de type à changement de résistance (100) utilise un élément de type à changement de résistance (22) qui transite entre une pluralité d'états de résistance d'impulsion électrique de la même polarité. La mémoire de type à changement de résistance comporte un dispositif de réglage de résistance en série (10) pouvant régler une valeur de résistance d'un trajet de courant en série et un dispositif de réglage de résistance parallèle (30) pouvant régler une valeur de résistance d'un trajet de courant parallèle comme suit : après le passage de l'élément de type à changement de résistance (22) à un état de résistance élevée, le potentiel de nœud ne dépasse pas un second niveau de tension même si un dispositif d'application d'impulsion électrique (50) émet une première impulsion électrique ; après le passage de l'élément de type à changement de résistance (22) à un état de résistance faible, le potentiel de nœud ne dépasse pas un premier niveau de seconde tension même si le dispositif d'application d'impulsion électrique (50) émet une seconde impulsion électrique.
(JA)本発明の抵抗変化型記憶装置(100)は、同一極性の電気パルスで複数の抵抗状態の間を遷移する抵抗変化型素子(22)を利用した抵抗変化型記憶装置(100)であって、抵抗変化型素子(22)が高抵抗状態へと変化した後は電気パルス印加装置(50)により第1の電気パルスが出力されていてもノード電位が第2の電圧レベル以上にならず、低抵抗状態へと変化した後は電気パルス印加装置(50)により第2の電気パルスが出力されていてもノード電位が第1の電圧レベル以上にならない抵抗値となるように、直列抵抗設定器(10)が直列電流経路の抵抗値を設定可能に構成され、並列抵抗設定器(30)が並列電流経路の抵抗値を設定可能に構成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)