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1. (WO2008059856) 熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/059856    国際出願番号:    PCT/JP2007/072069
国際公開日: 22.05.2008 国際出願日: 14.11.2007
IPC:
C08G 59/32 (2006.01), B29B 7/80 (2006.01), B29C 45/02 (2006.01), B29C 45/14 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 33/48 (2010.01)
出願人: HITACHI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Nishishinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630449 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOTANI, Hayato; (米国のみ).
URASAKI, Naoyuki; (米国のみ).
YUASA, Kanako; (米国のみ).
NAGAI, Akira; (米国のみ).
HAMADA, Mitsuyoshi; (米国のみ)
発明者: KOTANI, Hayato; .
URASAKI, Naoyuki; .
YUASA, Kanako; .
NAGAI, Akira; .
HAMADA, Mitsuyoshi;
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2006-309052 15.11.2006 JP
2007-098354 04.04.2007 JP
発明の名称: (EN) HEAT CURABLE RESIN COMPOSITION FOR LIGHT REFLECTION, PROCESS FOR PRODUCING THE RESIN COMPOSITION, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING SUBSTRATE AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE RESIN COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE THERMODURCISSABLE POUR RÉFLÉCHIR LA LUMIÈRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LA COMPOSITION DE RÉSINE, ET SUBSTRAT DE MONTAGE D'ÉLÉMENTS SEMI-CONDUCTEURS OPTIQUES ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE UTILISANT LA COMPOSITION DE RÉSINE
(JA) 熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
要約: front page image
(EN)This invention provides a heat curable resin composition for light reflection, which, after curing, can realize high reflectance in a range of visible light to near ultraviolet light, has excellent heat deterioration resistance and tablet moldability, and is less likely to cause burrs during transfer molding, and a process for producing the resin composition, and an optical semiconductor element mounting substrate and an optical semiconductor device using the resin composition. The heat curable resin composition for light reflection comprises a heat curable component and a white pigment and is characterized in that the length of burrs caused upon transfer molding under conditions of molding temperature 100ºC to 200ºC, molding pressure not more than 20 MPa, and molding time 60 to 120 sec is not more than 5 mm and the light reflectance after heat curing at a wavelength of 350 nm to 800 nm is not less than 80%. The resin composition can be used for constructing the optical semiconductor element mounting substrate and the optical semiconductor device.
(FR)Cette invention porte sur une composition de résine thermodurcissable destinée à réfléchir la lumière, laquelle, après durcissement, permet d'obtenir une réflectance élevée dans une plage allant de la lumière visible à la lumière proche de l'ultraviolet, présente une excellente résistance à la détérioration thermique et une excellente aptitude au moulage en comprimés, et est moins susceptible de provoquer des bavures pendant le moulage par transfert. L'invention porte également sur un procédé de fabrication de la composition de résine, et sur un substrat de montage d'éléments semi-conducteurs optiques et un dispositif semi-conducteur optique utilisant la composition de résine. La composition de résine thermodurcissable pour réfléchir la lumière comprend un composant thermodurcissable et un pigment blanc et est caractérisée par le fait que la longueur des bavures provoquées lors du moulage par transfert dans des conditions de température de moulage de 100ºC à 200ºC, de pression de moulage non supérieure à 20 MPa, et de durée de moulage de 60 à 120 secondes, n'est pas supérieure à 5 mm et la réflectance de lumière après durcissement thermique à une longueur d'onde de 350 nm à 800 nm n'est pas inférieure à 80%. La composition de résine peut être utilisée pour construire le substrat de montage d'éléments semi-conducteurs optiques et le dispositif semi-conducteur.
(JA) 硬化後の、可視光から近紫外光の反射率が高く、耐熱劣化性やタブレット成型性に優れ、なおかつトランスファー成型時にバリが生じ難い熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置を提供することを目的とする。熱硬化性成分と白色顔料とを含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、成型温度100°C~200°C、成型圧力20MPa以下、成型時間60~120秒の条件下でトランスファー成型した時に生じるバリ長さが5mm以下であり、かつ熱硬化後の、波長350nm~800nmにおける光反射率が80%以上であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物を調製し、そのような樹脂組成物を使用して光半導体素子搭載用基板および光半導体装置を構成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)