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1. (WO2008059825) 距離画像センサ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/059825    国際出願番号:    PCT/JP2007/071992
国際公開日: 22.05.2008 国際出願日: 13.11.2007
IPC:
G01S 17/36 (2006.01), G01C 3/06 (2006.01), G01S 17/89 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01)
出願人: HAMAMATSU PHOTONICS K. K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAHARA, Masanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKEMURA, Mitsutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAMOTO, Koei [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAHARA, Masanori; (JP).
TAKEMURA, Mitsutaka; (JP).
YAMAMOTO, Koei; (JP)
代理人: HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
優先権情報:
2006-309571 15.11.2006 JP
発明の名称: (EN) DISTANCE IMAGE SENSOR
(FR) CAPTEUR D'IMAGE DE DISTANCE
(JA) 距離画像センサ
要約: front page image
(EN)When a first reverse bias voltage applied between a semiconductor substrate (11) and a first semiconductor region (13) is an H bias in a distance image sensor (8), first depletion layers (A1, A1) spreading from the pn junctions of adjacent first semiconductor regions (13) are spread and connected to cover a second depletion layer (B1) spreading from the pn junction of the second semiconductor region (14). Consequently, carriers (C) generated in the vicinity of the backside (11a) in the semiconductor substrate (11) are captured surely in the first depletion layer (A1). When a second reverse bias voltage applied between the semiconductor substrate (11) and the second semiconductor region (14) is an H bias, adjacent second depletion layers are spread and connected to cover the first depletion layer. Consequently, carriers generated in the vicinity of the backside in the semiconductor substrate are captured surely in the second depletion layer.
(FR)Lorsqu'une première tension de polarisation inverse appliquée entre un substrat semi-conducteur (11) et une première région semi-conductrice (13) est une polarisation H dans un capteur d'image de distance (8), des premières couches d'appauvrissement (A1, A1) s'étendant à partir des jonctions PN de premières régions semi-conductrices adjacentes (13) s'étendent et sont connectées pour recouvrir une seconde couche d'appauvrissement (B1) s'étendant à partir des jonctions PN de la seconde région semi-conductrice (14). Par conséquent, les ondes porteuses (C) générées à proximité de la partie arrière (11a) dans le substrat semi-conducteur (11) sont capturées sûrement dans la première couche d'appauvrissement (A1). Lorsqu'une seconde tension de polarisation inverse appliquée entre le substrat semi-conducteur (11) et la seconde région semi-conductrice (14) est une polarisation H, des secondes couches d'appauvrissement adjacentes s'étendent et sont connectées pour recouvrir la première couche d'appauvrissement. Par conséquent, les ondes porteuses générées à proximité de la partie arrière dans le substrat semi-conducteur sont capturées sûrement dans la seconde couche d'appauvrissement.
(JA) 距離画像センサ8は、半導体基板11及び第1半導体領域13の間に印加される第1逆バイアス電圧がHバイアスのとき、隣接する第1半導体領域13のpn接合から拡がる第1空乏層A1,A1は拡がると共に、第2半導体領域14のpn接合から拡がる第2空乏層B1を覆うように互いに繋がる。これにより、半導体基板11において裏面11a近傍で発生したキャリアCを第1空乏層A1にて確実に捕捉する。また、半導体基板11及び第2半導体領域14の間に印加される第2逆バイアス電圧がHバイアスのとき、隣接する第2空乏層は、拡がると共に第1空乏層を覆うように互いに繋がる。これにより、半導体基板において裏面近傍で発生したキャリアを第2空乏層にて確実に捕捉する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)