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1. (WO2008059686) 基板処理方法及び基板処理システム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/059686    国際出願番号:    PCT/JP2007/070185
国際公開日: 22.05.2008 国際出願日: 16.10.2007
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMAMOTO, Yuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMAMOTO, Yuichi; (JP)
代理人: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2006-307388 14.11.2006 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法及び基板処理システム
要約: front page image
(EN)Deterioration of throughput of a device in lithography process due to microminiaturization is prevented, cost is reduced and patterning dimensional accuracy is improved for microminiaturization. A substrate processing method has a lithography process of forming a prescribed pattern on a semiconductor wafer (W) by a substrate processing system by performing at least lithography steps, such as resist coating (COT), exposure (EXP), post-exposure heat treatment (PEB) and development (DEV),; an etching (ET) process wherein the developed pattern is used as a mask; and a measuring process of measuring the line width of a pattern. Based on the measurement information obtained by the measuring process, exposure correction for exposure in second and subsequent lithography process, temperature correction for post-exposure heat treatment and/or etching correction for the etching process are performed.
(FR)La détérioration du débit d'un dispositif compris dans un procédé de lithographie en raison d'une micro miniaturisation est évitée, le coût de la microminiaturisation est réduit et la précision dimensionnelle de ses motifs est améliorée. Le procédé de traitement de substrat comporte un procédé de lithographie consistant à former un motif prescrit sur une plaque semi-conductrice (W) par un système de traitement de substrat en effectuant minimalement certaines étapes de lithographie, telles qu'un revêtement de résist (COT), une exposition (EXP), un traitement thermique après exposition (PEB) et un développement (DEV) ; un procédé d'attaque (ET) dans lequel le motif développé est utilisé en tant que masque ; et un procédé de mesure consistant à mesurer la largeur de ligne d'un motif. A partir des informations de mesure obtenues par le procédé de mesure, une correction d'exposition pour une exposition dans un second procédé de lithographie et dans les procédés ultérieurs, une correction de température pour un traitement thermique après exposition et/ou une correction d'attaque pour le procédé d'attaque sont réalisées.
(JA) デバイスの微細化に伴うリソグラフィ工程のスループットの低下防止及びコストの低廉化を図ると共に、微細化におけるパターニング寸法精度の向上を図れるようにすること。  基板処理システムによって半導体ウエハWに、少なくともレジスト塗布処理(COT),露光処理(EXP),露光後の加熱処理(PEB)及び現像処理(DEV)等のリソグラフィ処理を施して所定のパターンを形成するリソグラフィ工程と、現像処理後のパターンをマスクとするエッチング(ET)工程と、パターンの線幅を測定する測定工程と、を有し、測定工程で測定された測定情報に基づいて、2回目以降のリソグラフィ工程の露光処理における露光補正,露光後の加熱処理における温度補正及び/又はエッチング工程におけるエッチング補正を行う。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)