WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2008056760) 炭化珪素単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/056760    国際出願番号:    PCT/JP2007/071769
国際公開日: 15.05.2008 国際出願日: 09.11.2007
IPC:
C30B 29/36 (2006.01)
出願人: BRIDGESTONE CORPORATION [JP/JP]; 10-1, Kyobashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1048340 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ISHIHARA, Hidetoshi; (米国のみ).
KONDO, Daisuke; (米国のみ).
KUMAGAI, Sho; (米国のみ)
発明者: ISHIHARA, Hidetoshi; .
KONDO, Daisuke; .
KUMAGAI, Sho;
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2006-304060 09.11.2006 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DESTINÉ À LA PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)This invention provides a process for producing a silicon carbide single crystal, comprising maintaining a crucible at such a temperature that can prevent the sublimation of a silicon carbide material, under an evacuated atmosphere in a predetermined time, and then heating the crucible at such a temperature that can sublimate the silicon carbide material under an argon gas atmosphere, whereby the silicon carbide material is sublimated to allow a silicon carbide single crystal to grow on the surface of a seed crystal. The above constitution can realize the production of a silicon carbide single crystal of which the concentration of impurities in its inside is low and which has a high resistivity.
(FR)L'invention concerne un procédé pour la production d'un monocristal de carbure de silicium consistant à conserver un creuset à une température qui permet de prévenir la sublimation d'un matériau de carbure de silicium dans une atmosphère évacuée pendant une durée prédéterminée et, puis, à chauffer le creuset à une température qui permet de sublimer le matériau de carbure de silicium dans une atmosphère soumise à l'argon, ledit matériau de carbure de silicium étant sublimé pour permettre la croissance d'un monocristal de carbure de silicium à la surface d'un cristal germe. Le procédé de cette invention permet de produire un monocristal de carbure de silicium possédant une faible concentration interne d'impuretés et une résistivité élevée.
(JA) 減圧雰囲気下で炭化珪素原料が昇華しない温度に坩堝を所定時間保持した後、アルゴンガス雰囲気下で炭化珪素原料が昇華する温度に坩堝を加熱することにより、炭化珪素原料を昇華させて種結晶の表面上に炭化珪素単結晶を結晶成長させる。これにより、内部に含まれる不純物の濃度が低く抵抗率が高い炭化珪素単結晶を製造することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)