WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2008056698) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/056698    国際出願番号:    PCT/JP2007/071630
国際公開日: 15.05.2008 国際出願日: 07.11.2007
IPC:
H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HARADA, Shin [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MASUDA, Takeyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HARADA, Shin; (JP).
MASUDA, Takeyoshi; (JP)
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2006-305476 10.11.2006 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)This invention provides a silicon carbide semiconductor device having excellent operating characteristics and a process for producing the same. A covering film (M1) formed of silicon is formed on an initial grown layer (11) provided on a 4H-SiC substrate (10), and an enlarged terrace face (15A) is formed on an area covered with the covering film (M1). Next, the covering film (M1) is removed, and a newly grown layer is epitaxially grown on the initial grown layer (11). In this case, a 3C-SiC part (21a) formed of a 3C-SiC crystal of a polytype having low-temperature stability is grown on the enlarged terrace face (15A) in the initial grown layer (11). The provision of a channel region such as MOSFET in the 3C-SiC part (21a) having a small bandgap can improve the channel mobility as a result of a reduction in interfacial level and thus can realize the production of a silicon carbide semiconductor device having excellent operating characteristics.
(FR)Cette invention propose un dispositif semi-conducteur de carbure de silicium ayant d'excellentes caractéristiques de fonctionnement et un procédé pour fabriquer celui-ci. Un film de couverture (M1) formé de silicium est formé sur une couche développée initiale (11) disposée sur un substrat 4H-SiC (10), et une face en terrasse agrandie (15A) est formée sur une zone couverte par le film de couverture (M1). Ensuite, le film de couverture (M1) est enlevé, et une couche nouvellement développée est développée de façon épitaxiale sur la couche développée initiale (11). Dans ce cas, une partie 3C-SiC (21a) formée d'un cristal 3C-SiC d'un polytype présentant une caractéristique de stabilité à température faible est développée sur la face en terrasse agrandie (15A) dans la couche développée initiale (11). La fourniture d'une région de canal telle que MOSFET dans la partie 3C-SiC (21a) ayant une petite largeur de bande interdite peut améliorer la mobilité du canal en tant que résultat d'une réduction du niveau interfacial et peut ainsi effectuer la production d'un dispositif semi-conducteur de carbure de silicium ayant d'excellentes caractéristiques de fonctionnement.
(JA) 動作特性の優れた炭化珪素半導体装置およびその製造方法が得られる。4H-SiC基板(10)上の初期成長層(11)の上に、Siからなる被覆膜(M1)を形成し、被覆膜(M1)で覆われた領域に、拡大テラス面(15A)を形成する。次に、被覆膜(M1)を除去して、初期成長層(11)の上に、新成長層をエピタキシャル成長させる。初期成長層(11)の拡大テラス面(15A)の上には、低温安定なポリタイプである3C-SiC結晶からなる3C-SiC部(21a)が成長する。MOSFETなどのチャネル領域を、バンドギャップの小さい、3C-SiC部(21a)に設けることにより、界面準位の低減によってチャネル移動度が向上し、動作特性の優れた炭化珪素半導体装置が得られる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)