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1. (WO2008056632) GaN系半導体発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/056632    国際出願番号:    PCT/JP2007/071494
国際公開日: 15.05.2008 国際出願日: 05.11.2007
IPC:
C23C 16/34 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/343 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ITO, Norikazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIDA, Toshio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAGAWA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ITO, Norikazu; (JP).
NISHIDA, Toshio; (JP).
NAKAGAWA, Satoshi; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2006-301943 07.11.2006 JP
2006-301945 07.11.2006 JP
発明の名称: (EN) GaN SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR GAN
(JA) GaN系半導体発光素子
要約: front page image
(EN)Provided is a GaN semiconductor light emitting element, which has an active layer having a quantum well structure containing In, suppresses thermal damage due to growing temperature of a semiconductor layer grown after growing the active layer, takes more In and has improved light emitting characteristics and electrical characteristics. On a sapphire substrate (1), an n-type GaN contact layer (2), an n-type AlInGaN/AlGaN superlattice layer (3), an active layer (4), a p-type AlGaN block layer (8) and a p-type GaN contact layer (5) are laminated, and an n-electrode (7) and a p-electrode (6) are arranged. The active layer (4) has a quantum well structure wherein a well layer satisfies the inequalities of AlX1InY1GaZ1N(X1+Y1+Z1=1, 0X2InY2GaZ2N(X2+Y2+Z2=1, 0≤X2<1, 0≤Y2<1, Y1>Y2). The well layer and the barrier layer are formed by temperature modulation.
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent semi-conducteur GaN, qui a une couche active ayant une structure à puits quantique contenant In, qui supprime un endommagement thermique dû à une température croissante de la couche semi-conductrice développée après le développement de la couche active, qui prend davantage d'In et qui possède des caractéristiques améliorées d'émission de lumière et électriques. Sur un substrat de saphir (1), une couche de contact GaN de type n (2), une couche de super-réseau AlInGaN/AlGaN (3), une couche active (4), une couche à bloc AlGaN de type p (8) et une couche de contact GaN de type p (5) sont laminées, et une électrode n (7) et une électrode p (6) sont agencées. La couche active (4) a une structure à puits quantique dans laquelle une couche de puits satisfait les inégalités AlX1InY1GaZ1N(X1+Y1+Z1=1, 0X2InY2GaZ2N(X2+Y2+Z2=1, 0≤X2<1, 0≤Y2<1, Y1>Y2). La couche de puits et la couche barrière sont formées par modulation de température.
(JA)【課題】Inを含む量子井戸構造の活性層を有し、活性層よりも後に成長させる半導体層の成長温度による熱のダメージを抑制することができるとともに、Inの取り込みを高くしつつ、発光特性や電気特性を向上させたGaN系半導体発光素子を提供する。  サファイア基板1の上に、n型GaNコンタクト層2、n型のAlInGaN/AlGaN超格子層3、活性層4、p型AlGaNブロック層8、p型GaNコンタクト層5が積層され、n電極7とp電極6が設けられている。活性層4は、量子井戸構造を有する活性層であり、井戸層をAlX1InY1GaZ1N(X1+Y1+Z1=1、0<X1<1、0<Y1<1)、バリア層をAlX2InY2GaZ2N(X2+Y2+Z2=1、0≦X2<1、0≦Y2<1、Y1>Y2)で構成し、井戸層とバリア層は温度変調によって形成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)