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1. (WO2008056530) 半導体レーザ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/056530    国際出願番号:    PCT/JP2007/070516
国際公開日: 15.05.2008 国際出願日: 22.10.2007
IPC:
H01S 5/343 (2006.01)
出願人: KOHA CO., LTD. [JP/JP]; 6-8, Kouyama 2-chome, Nerima-ku, Tokyo 1760022 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AOKI, Kazuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UJIIE, Takekazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: AOKI, Kazuo; (JP).
UJIIE, Takekazu; (JP)
代理人: HIRATA, Tadao; Hirata & Partners, World-Wide Center 1-13, Sanban-cho Chiyoda-ku, Tokyo 1020075 (JP)
優先権情報:
2006-300522 06.11.2006 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER AND PROCESS FOR MANUFACTURE THEREOF
(FR) LASER À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体レーザ及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor laser equipped with an accurate laser resonator formed by a simple manufacture process. Also disclosed is a process for manufacturing the semiconductor laser. An epitaxial layer (11) is provided on a substrate (10,50) comprising a β-Ga2O3-type single crystal. The epitaxial layer (11) can be formed by growing (0001)face (A5) of a GaN-type compound having a wurtzite structure on a face (A3,B3) defined in a given substrate orientation. The semiconductor laser has a laser resonator which is formed by utilizing (1-100)face (A4,B4) (which is a cleavage plane of the epitaxial layer (11)) as the edge face of the resonance surface.
(FR)L'invention concerne un laser à semiconducteur muni d'un résonateur laser précis façonné grâce à un procédé de fabrication simple. L'invention concerne également un procédé de fabrication du laser à semiconducteur. Une couche épitaxiale (11) est appliquée sur un substrat (10, 50) comprenant un monocristal de type β-Ga2O3. La couche épitaxiale (11) peut être formée en faisant croître une face {0001} (A5) d'un composé de type GaN présentant une structure de wurtzite sur une face (A3, B3) définie selon une orientation donnée de substrat. Le laser à semiconducteur possède un résonateur laser qui est formé en utilisant une face {1-100} (A4, B4) (qui représente un plan de clivage de la couche épitaxiale (11)) comme face de bordure de la surface de résonance.
(JA) 簡易な製造プロセスにより精度のよいレーザ共振器が形成された半導体レーザ及びその製造方法を提供する。β―Ga系単結晶からなる基板(10、50)上にエピタキシャル層(11)を設ける。エピタキシャル層(11)は、基板の所定の面方位で規定される面(A3,B3)上に、ウルツ鉱型構造のGaN系化合物の(0001)面(A5)を成長させて形成する。エピタキシャル層(11)の劈開面である(1-100)面(A4,B4)を共振面端面として形成したレーザ共振器を有する半導体レーザの構成とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)