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1. (WO2008053813) 半導体磁器組成物とその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/053813    国際出願番号:    PCT/JP2007/070958
国際公開日: 08.05.2008 国際出願日: 26.10.2007
IPC:
C04B 35/46 (2006.01), H01C 7/02 (2006.01)
出願人: Hitachi Metals, Ltd. [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058614 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHIMADA, Takeshi; (米国のみ).
TOJI, Kazuya; (米国のみ)
発明者: SHIMADA, Takeshi; .
TOJI, Kazuya;
代理人: NAITO, Teruo; Shin-ei Patent Firm 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2006-298304 01.11.2006 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COMPOSITION CÉRAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLE-CI
(JA) 半導体磁器組成物とその製造方法
要約: front page image
(EN)This invention provides a semiconductor ceramic composition comprising BaTiO3, in which a part of Ba has been replaced with Bi-Na, which semiconductor ceramic composition can suppress the vaporization of Bi in a calcination process, can prevent a deviation of composition of Bi-Na to suppress the formation of a dissimilar phase, can realize a further reduction in electrical resistivity at room temperature, and can suppress a variation in Curie temperature, and a process for producing the same. Calcined powder of Ba(TiM)O3, wherein M represents an element which has been converted to a semiconductor, and calcined powder of (BiNa)TiO3 are provided separately from each other. The calcined powder of Ba(TiM)O3 is calcined at an optimal temperature which is a relatively high temperature. On the other hand, the calcined powder of (BiNa)TiO3 is calcined at an optimal temperature which is a relatively low temperature. According to the above constitution, the vaporization of Bi can be suppressed, and a deviation of composition of Bi-Na can be prevented to suppress the formation of a dissimilar phase. A semiconductor ceramic composition, which has low resistivity at room temperature and can suppress a variation in Curie temperature, can be produced by mixing these calcined powders together, molding the mixture, and sintering the molded product.
(FR)L'invention concerne une composition céramique semi-conductrice contenant BaTiO3 et dans laquelle une partie de Ba a été remplacée par Bi-Na. Ladite composition céramique semi-conductrice permet d'éliminer la vaporisation de Bi dans un processus de calcination, d'empêcher une modification de la composition de Bi-Na pour supprimer la formation d'une phase différente, de procéder à une réduction de la résistivité électrique à température ambiante et de supprimer une variation de la température de Curie. L'invention concerne également un procédé de production de ladite composition. Une poudre calcinée de Ba(TiM)O3, M représentant un élément converti en semi-conducteur, et une poudre calcinée de (BiNa)TiO3 sont utilisées séparément l'une de l'autre. La poudre calcinée de Ba(TiM)O3 est calcinée à une température optimale relativement élevée. D'un autre côté, la poudre calcinée de (BiNa)TiO3 est calcinée à une température optimale relativement basse. Selon l'invention, la vaporisation de Bi peut être supprimée et une modification de la composition de Bi-Na peut être empêchée pour supprimer la formation d'une phase différente. Une composition céramique semi-conductrice, présentant une faible résistivité à température ambiante et pouvant supprimer une variation de la température de Curie, peut être obtenue par mélange des poudres calcinées, par moulage du mélange et par frittage du produit moulé.
(JA) BaTiO3のBaの一部をBi-Naで置換した半導体磁器組成物において、仮焼工程におけるBiの揮散を抑制し、Bi-Naの組成ずれを防止して異相の生成を抑制し、室温における抵抗率をさらに低下させるとともに、キュリー温度のバラツキを抑制することができる半導体磁器組成物とその製造方法の提供。  Ba(TiM)O3仮焼粉(Mは半導体化元素)と(BiNa)TiO3仮焼粉を別々に用意し、Ba(TiM)O3仮焼粉は比較的高温で、(BiNa)TiO3仮焼粉は比較的低温で、それぞれに応じた最適温度で仮焼することにより、Biの揮散が抑制され、Bi-Naの組成ずれを防止して異相の生成を抑制することができ、それら仮焼粉を混合して、成形、焼結することにより、室温における抵抗率が低く、キュリー温度のバラツキが抑制された半導体磁器組成物が得られる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)