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1. (WO2008053632) エチレン-テトラフルオロエチレン系共重合体成形品およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/053632    国際出願番号:    PCT/JP2007/066809
国際公開日: 08.05.2008 国際出願日: 29.08.2007
IPC:
C23C 16/42 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01)
出願人: ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HIGASHI, Seiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAMITSUJI, Chikaya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HIGASHI, Seiji; (JP).
TAMITSUJI, Chikaya; (JP)
代理人: SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square 17, Kanda-konyacho, Chiyoda-ku Tokyo 1010035 (JP)
優先権情報:
2006-298824 02.11.2006 JP
発明の名称: (EN) ETHYLENE-TETRAFLUOROETHYLENE COPOLYMER MOLDED PRODUCT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) PRODUIT MOULÉ EN COPOLYMÈRE D'ÉTHYLÈNE ET DE TÉTRAFLUOROÉTHYLÈNE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) エチレン-テトラフルオロエチレン系共重合体成形品およびその製造方法
要約: front page image
(EN)This invention provides an ethylene-tetrafluoroethylene (ETFE) copolymer molded product having a high level of surface hydrophilicity and excellent light transmittance, and a production process which can produce the molded product. The production process is a process for producing an ETFE copolymer molded product comprising a base material (12) formed of a material containing not less than 50% by mass of an ETFE copolymer, and a fluorine-doped silicon oxide film (14) formed on the surface of the base material (12). Electric power is supplied across electrodes so that the power density across the electrodes is 0.5 to 1.1 W/cm3 to cause discharge and thus to plasmatize a mixed gas containing silicon tetrafluoride, oxygen and hydrogen carbide with the atomic ratio between oxygen and carbon (O/C) being 1 to 10 and the atomic ratio between oxygen and silicon (O/Si) being 1.7 to 25, whereby a silicon oxide film (14) is formed on the base material (12).
(FR)La présente invention concerne un produit moulé en copolymère d'éthylène et de tétrafluoroéthylène (ETFE) ayant un degré élevé d'hydrophilicité en surface et une excellente transmission de la lumière et un procédé de production pouvant produire le produit moulé. Le procédé de production est un procédé pour produire un produit moulé en copolymère ETFE comprenant un matériau de base (12) constitué d'un matériau ne contenant pas moins de 50 % en masse d'un copolymère ETFE, et un film d'oxyde de silicium dopé de fluor (14) formé à la surface du matériau de base (12). L'énergie électrique est fournie à travers des électrodes de sorte que la densité de puissance à travers les électrodes soit dans la gamme de 0,5 à 1,1 W/cm3 de façon à entraîner une décharge et à créer de ce fait un plasma d'un mélange gazeux contenant du tétrafluorure de silicium, de l'oxygène et du carbure d'hydrogène, le rapport atomique entre l'oxygène et le carbone (O/C) étant dans la gamme de 1 à 10 et le rapport atomique entre l'oxygène et le silicium (O/Si) étant dans la gamme de 1,7 à 25, moyennant quoi un film d'oxyde de silicium (14) est formé sur le matériau de base (12).
(JA) 表面の親水性が高く、かつ光透過性に優れたエチレン-テトラフルオロエチレン(ETFE)系共重合体成形品および該成形品を製造できる製造方法を提供する。  ETFE系共重合体を50質量%以上含む材料からなる基材12と、基材12表面に製膜された、フッ素がドープされた酸化ケイ素膜14とを有するETFE系共重合体成形品の製造方法であって、電極間の電力密度が0.5~1.1W/cmとなるように、電極間に電力を供給して放電を起こし、四フッ化ケイ素、酸素および炭化水素を含み、酸素と炭素との原子比(O/C)が1~10であり、酸素とケイ素との原子比(O/Si)が1.7~25である混合ガスをプラズマ化することによって、基材12上に酸化ケイ素膜14を製膜する製造方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)