WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2008053625) 成膜方法および基板処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/053625    国際出願番号:    PCT/JP2007/065433
国際公開日: 08.05.2008 国際出願日: 07.08.2007
IPC:
H01L 21/285 (2006.01), C23C 16/14 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NARUSHIMA, Kensaku [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AMANO, Fumitaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WAKABAYASHI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NARUSHIMA, Kensaku; (JP).
AMANO, Fumitaka; (JP).
WAKABAYASHI, Satoshi; (JP)
代理人: OHYAMA, Hiroaki; Reo Akasaka Bldg. 5A 2-14, Akasaka 6-chome Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2006-293938 30.10.2006 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF FILM DEPOSITION AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILM ET APPAREILLAGE POUR TRAITER DES SUBSTRATS
(JA) 成膜方法および基板処理装置
要約: front page image
(EN)To enable a barrier layer including a titanium film of good quality to be efficiently formed even at a low temperature and enable a TiSix film to be self-conformably formed at the interface between the titanium film and the base. In the step of forming the TiSix film (507), the following steps are repeated two or more times without introducing argon gas into the treating chamber: a first step in which a titanium compound gas is introduced into the treating chamber to adsorb the titanium compound gas onto the silicon surface of a silicon substrate (502); a second step in which the introduction of the titanium compound gas into the treating chamber is stopped and the titanium compound gas remaining in the treating chamber is removed; and a third step in which a plasma is generated in the treating chamber while introducing hydrogen gas into the treating chamber to thereby reduce the titanium compound gas adsorbed on the silicon surface and react it with the silicon in the silicon surface to form the TiSix film (507).
(FR)La présente invention a pour objet de permettre de former avec un bon rendement une couche barrière comprenant un film de titane de bonne qualité, même à basse température, et de permettre de former un film de TiSix qui se mette lui-même en forme pour épouser l'interface entre le film de titane et la base. Lors de l'étape de formation du film de TiSix (507), les étapes suivantes sont répétées au moins deux fois sans introduire d'argon gazeux dans l'enceinte de traitement : une première étape au cours de laquelle un gaz de composé du titane est introduit dans l'enceinte de traitement pour adsorber ledit gaz sur la surface du silicium d'un substrat en silicium (502) ; une deuxième étape au cours de laquelle on interrompt l'introduction de gaz de composé du titane dans l'enceinte de traitement et on élimine le gaz de composé du titane résiduel présent dans l'enceinte ; et une troisième étape au cours de laquelle un plasma est généré dans l'enceinte de traitement tout en introduisant de l'hydrogène gazeux dans l'enceinte de traitement, dans le but de réduire le gaz de composé du titane adsorbé à la surface du silicium et de le faire réagir avec le silicium de la surface de manière à former le film de TiSix (507).
(JA) 低温下であっても,良質なTi膜を含むバリア層を効率よく形成できるようにし,そのTi膜と下地との界面領域に自己整合的にTiSi膜を形成できるようにする。  TiSi膜(507)を形成する工程では,チタン化合物ガスを処理室に導入してチタン化合物ガスをSi基板(502)のSi表面上に吸着させる第1の工程と,チタン化合物ガスの処理室への導入を停止して,処理室内に残留しているチタン化合物ガスを除去する第2の工程と,水素ガスを処理室に導入しつつ処理室内にプラズマを生成して,Si表面に吸着させたチタン化合物ガスを還元するとともにSi表面のシリコンと反応させTiSi膜(507)を形成する第3の工程と,を処理室にアルゴンガスを導入せずに複数回繰り返す。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)