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1. (WO2008050809) 半導体光変調器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/050809    国際出願番号:    PCT/JP2007/070752
国際公開日: 02.05.2008 国際出願日: 24.10.2007
IPC:
G02F 1/025 (2006.01), G02F 1/015 (2006.01)
出願人: NTT ELECTRONICS CORPORATION [JP/JP]; 12-1, Dogenzaka 1-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1500043 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP/JP]; 3-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008116 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ISHIBASHI, Tadao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIKUCHI, Nobuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUZUKI, Ken [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ISHIBASHI, Tadao; (JP).
KIKUCHI, Nobuhiro; (JP).
TSUZUKI, Ken; (JP)
代理人: TANI, Yoshikazu; 6-20, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2006-288839 24.10.2006 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR OPTICAL MODULATOR
(FR) MODULATEUR OPTIQUE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体光変調器
要約: front page image
(EN)Provided is an easily manufactured npin-type optical modulator having a high withstand voltage. A semiconductor optical modulator (10) is of npin-type having a cathode layer (12-1) on a substrate side and layers stacked in sequence. The semiconductor optical modulator includes at least a first n-type clad layer (13-1), a p-type clad layer (14), a core layer (17) and a second n-type clad layer (13-2). The p-type clad layer (14) is electrically connected to an electrode (18-1) of the cathode layer. Thus, accumulation of holes on the p-type clad layer due to light absorption in the npin-type optical modulator can be eliminated by the electrode on the minus side. Since the npin-type semiconductor optical modulator has a mesa-type waveguide structure, it can be relatively easily manufactured by using conventional semiconductor manufacturing technologies.
(FR)L'invention concerne un modulateur optique de type NPIN, de fabrication aisée ayant une tension de maintien élevée. Un modulateur optique semi-conducteur (10) est du type NPIN qui a une couche de cathode (12-1) sur un côté substrat et des couches empilées de façon séquentielle. Le modulateur optique semi-conducteur comprend au moins une première couche de placage de type N (13-1), une couche de placage de type P (14), une couche d'âme (15) et une seconde couche de placage de type N (13-2). La couche de placage de type P (14) est raccordée électriquement à une électrode (18-1) de la couche de cathode. Ainsi, l'accumulation de trous sur la couche de placage de type P en raison de l'absorption de lumière dans le modulateur optique de type NPIN peut être éliminée par l'électrode sur le côté moins. Etant donné que le modulateur optique semi-conducteur de type NPIN a une structure de guide d'ondes de type MESA, il peut être fabriqué relativement facilement à l'aide des technologies classiques de fabrication de semi-conducteurs.
(JA) 本発明によれば、耐圧が高く、製作の容易なnpin型光変調器を提供することができる。本発明の一実施例による半導体光増幅器(10)は、基板側にカソード層(12-1)を配置して順次積層されたnpin型の半導体光変調器であって、少なくとも第1のn型クラッド層(13-1)、p型クラッド層(14)、コア層(17)、および第2のn型クラッド層(13-2)を含む半導体光変調器において、p型クラッド層(14)がカソード層の電極(18-1)に電気的に接続されていることを特徴とする。これによって、npin型光変調器での光吸収に伴うp型クラッド層へのホールの蓄積をマイナス側の電極に吸収させることができる。このnpin型の半導体光変調器は、メサ型の導波路構造とすることにより、従来の半導体製造技術を用いて比較的容易に製作することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)