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1. (WO2008050790) トンネル型磁気検出素子及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/050790    国際出願番号:    PCT/JP2007/070700
国際公開日: 02.05.2008 国際出願日: 24.10.2007
IPC:
H01L 43/10 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
出願人: ALPS ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-7, Yukigaya-Otsuka-cho, Ota-ku, Tokyo 1458501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TANAKA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UMETSU, Eiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IKARASHI, Kazuaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TANAKA, Kenichi; (JP).
UMETSU, Eiji; (JP).
IKARASHI, Kazuaki; (JP)
代理人: NOZAKI, Teruo; Oak Ikebukuro Building 3F 1-21-11 Higashi-Ikebukuro Toshima-ku Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
2006-288896 24.10.2006 JP
発明の名称: (EN) TUNNEL-TYPE MAGNETIC DETECTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) ELÉMENT DE DÉTECTION MAGNÉTIQUE À TUNNEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) トンネル型磁気検出素子及びその製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a tunnel-type magnetic detecting element, especially a tunnel-type magnetic detecting element using Al-O for an insulating barrier layer, by which a high resistance change ratio (ΔR/R) can be obtained with a low RA, and to provide a method for manufacturing such tunnel-type magnetic detecting element. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] On a second fixed magnetic layer (4c), an insulating barrier layer (5) is formed by using a lower insulating layer (5a) formed of Al-O and an upper insulating layer (5b) formed of CoFe-O on the lower insulating layer (5a). Furthermore, a free magnetic layer (6) is formed on the insulating barrier layer (5). Thus, a high resistance change ratio (ΔR/R) and a low RA (element resistance R×element area A) can be obtained.
(FR)L'objet de la présente invention est un élément de détection magnétique à tunnel, particulièrement un élément de détection magnétique à tunnel qui utilise de l'Al-O pour une couche-barrière isolante, permettant d'obtenir un rapport élevé de changement de résistance (ΔR/R) avec une faible valeur RA, et un procédé de fabrication d'un tel élément de détection magnétique à tunnel. Sur une seconde couche magnétique fixe (4c), une couche barrière isolante (5) est formée en utilisant une couche isolante inférieure (5a) formée d'Al-O et une couche isolante supérieure (5b) formée de CoFe-O sur la couche isolante inférieure (5a). En outre, une couche magnétique libre (6) est formée sur la couche barrière isolante (5). Ainsi, un rapport élevé de changement de résistance (ΔR/R) et une faible valeur RA (résistance d'élément R×superficie d'élément A) peuvent être obtenus.
(JA)【課題】 特に、絶縁障壁層にAl-Oを使用したトンネル型磁気検出素子に係り、低いRAで且つ高い抵抗変化率(ΔR/R)を得ることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 第2固定磁性層4c上に、Al-Oで形成された下側絶縁層5aと、前記下側絶縁層5aの上にCoFe-Oで形成された上側絶縁層5bとで絶縁障壁層5を形成し、さらに前記絶縁障壁層5上にフリー磁性層6を形成する。これにより高い抵抗変化率(ΔR/R)と低いRA(素子抵抗R×素子面積A)を得ることが出来る。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)