WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2008050785) フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/050785    国際出願番号:    PCT/JP2007/070691
国際公開日: 02.05.2008 国際出願日: 24.10.2007
IPC:
G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
出願人: KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-8, Nihonbashihoncho 3-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030023 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHWADA, Takuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHWADA, Takuo; (JP)
代理人: KUZUWA, Kiyoshi; Patent Attorneys, KUZUWA & PARTNERS T & T Bldg., 8-21, Tomihisa-cho Shinjuku-ku, Tokyo 1620067 (JP)
優先権情報:
2006-289113 24.10.2006 JP
発明の名称: (EN) LIQUID COMPOSITION FOR REMOVING PHOTORESIST RESIDUE AND POLYMER RESIDUE
(FR) COMPOSITION LIQUIDE POUR ÉLIMINER UN RÉSIDU DE PHOTORÉSINE ET UN RÉSIDU DE POLYMÈRE
(JA) フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物
要約: front page image
(EN)Provided is a liquid composition for, at a low temperature in a short time, removing a photoresist residue and a polymer residue generated in a semiconductor circuit element manufacturing process. A residue removing method using such composition is also provided. The composition removes the photoresist residue and/or the polymer residue generated in the manufacturing process of a semiconductor circuit element having a metal wiring. The composition includes a fluorine compound of 0.5-3.0 mass% and water not over 30 mass%, and has a pH of 4 or less.
(FR)L'invention concerne une composition liquide destinée à éliminer, à basse température et en un temps réduit, un résidu de photorésine et un résidu de polymère générés dans un procédé de fabrication d'un élément de circuit semi-conducteur. Elle concerne également un procédé d'élimination de résidu utilisant une telle composition. La composition élimine le résidu de photorésine et/ou le résidu de polymère générés dans le processus de fabrication d'un élément de circuit semi-conducteur ayant un câblage métallique. La composition comprend un composé de fluor de 0,5-3,0 % en masse et d'eau ne dépassant pas 30 % en masse, et a un pH de 4 ou moins.
(JA) 半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣及びポリマー残渣を低温、短時間で除去するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物、並びにそれを用いた残渣の除去方法を提供する。本発明は、金属配線を有する半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣及び/又はポリマー残渣を除去する組成物であって、フッ素化合物を0.5~3.0質量%および水を30質量%超えない量含み、pHが4以下である、前記組成物である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)