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1. (WO2008050775) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/050775    国際出願番号:    PCT/JP2007/070666
国際公開日: 02.05.2008 国際出願日: 23.10.2007
IPC:
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TERAI, Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJIEDA, Shinji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TODA, Akio [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TERAI, Masayuki; (JP).
FUJIEDA, Shinji; (JP).
TODA, Akio; (JP)
代理人: KIMURA, Mitsuru; 2nd Floor, Kyohan Building, 7, Kandanishiki-cho 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
優先権情報:
2006-289457 25.10.2006 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A channel is formed in a recess or protrusion of a substrate, and a gate insulating film is formed to have first to third insulating regions along a channel. The gate insulating films of the first and third insulating regions are formed on the faces different from that of the substrate main face, into a first gate insulating film containing no charge trap, a charge storage film containing the charge trap and a second gate insulating film containing no charge trap. The gate insulating film of the intermediate second insulating region is formed on the face parallel to the substrate main face, and is constituted of only the third gate insulating film containing no charge trap.
(FR)La présente invention concerne un canal qui est formé dans un évidement ou une saillie d'un substrat, et un film d'isolation de grille qui est formé pour avoir des régions isolantes, d'une première à une troisième, le long d'un canal. Les films d'isolation de grille des régions isolantes, de la première à la troisième, sont formés sur les faces différentes de celle de la face principale du substrat, dans un premier film d'isolation de grille qui ne contient aucun piège à charge, un film de stockage de charge qui contient le piège à charge et un second film d'isolation de grille qui ne contient aucun piège à charge. Le film d'isolation de grille de la deuxième région isolante intermédiaire est formé sur la face parallèle à la face principale du substrat, et est constitué seulement du troisième film d'isolation de grille qui ne contient aucun piège à charge.
(JA)チャネルは基板の凹部又は凸部に形成され、ゲート絶縁膜はチャネルに沿って第1乃至第3の絶縁領域を有するように形成されている。第1、第3の絶縁領域のゲート絶縁膜は、基板主面とは異なる面上に形成され、電荷トラップを含まない第1のゲート絶縁膜と、電荷トラップを含む電荷蓄積膜と、電荷トラップを含まない第2のゲート絶縁膜とを有する。中間の第2の絶縁領域のゲート絶縁膜は、基板主面と平行な面上に形成され、電荷トラップを含まない第3のゲート絶縁膜のみによって構成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)