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1. (WO2008050710) Al系合金配線材料及びそれを用いた素子構造
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/050710    国際出願番号:    PCT/JP2007/070531
国際公開日: 02.05.2008 国際出願日: 22.10.2007
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), C22C 21/00 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01), H01B 1/02 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. [JP/JP]; 1-11-1, Osaki, Shinagawa-ku, Tokyo 1418584 (JP) (米国を除く全ての指定国).
URABE, Hironari [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUURA, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUBOTA, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: URABE, Hironari; (JP).
MATSUURA, Yoshinori; (JP).
KUBOTA, Takashi; (JP)
代理人: TANAKA AND OKAZAKI; Hongo K & K Bldg., 30-10 Hongo 3-chome, Bunkyo-ku Tokyo 1130033 (JP)
優先権情報:
2006-291617 26.10.2006 JP
発明の名称: (EN) Al-BASE ALLOY WIRING MATERIAL AND ELEMENT STRUCTURE USING THE SAME
(FR) MATÉRIAU DE CÂBLAGE D'ALLIAGE À BASE D'Al ET STRUCTURE D'ÉLÉMENT L'UTILISANT
(JA) Al系合金配線材料及びそれを用いた素子構造
要約: front page image
(EN)This invention provides an Al-base alloy wiring material which, in a display device comprising a thin-film transistor, can realize direct junction also to a semiconductor layer such as an n+-Si layer. The Al-base alloy wiring material comprises nickel and boron incorporated in aluminum and is characterized by further comprising nitrogen (N). The nitrogen content is preferably not less than 2 × 1017 atoms/cm3 and less than 9 × 1021 atoms/cm3. Preferably, the Al-base alloy wiring material satisfies each of formulae 0.5 ≤ x ≤ 10.0, 0.05 ≤ y ≤ 11.00, y + 0.25x ≥ 1.00, and y + 1.15x ≤ 11.50, provided that x + y + z = 100, wherein x represents the composition ratio of nickel, at.%; y represents the composition ratio of boron, at.%; and z represents the composition ratio of aluminum, at.%, and the balance of the Al-base alloy wiring material comprises nitrogen.
(FR)La présente invention concerne un matériau d'alliage à base d'Al qui, dans un dispositif d'affichage qui comprend un transistor à film fin, peut réaliser une jonction directe aussi vers une couche semiconductrice telle qu'une couche n+-Si. Le matériau de câblage d'alliage à base d'Al comprend du nickel et du bore incorporés à de l'aluminium et il se caractérise par le fait qu'il comprend aussi de l'azote (N). La teneur en azote n'est de préférence pas inférieure à 2 × 1017 atomes/cm3 et elle est inférieure à 9 × 1021 atomes/cm3. Le matériau de câblage en alliage à base d'Al répond à chacune des formules 0,5 ≤ x ≤ 10,0, 0,05 ≤ y ≤ 11,00, y + 0,25x ≥ 1,00 et y + 1,15x ≤ 11,50, pourvu que x + y + z = 100, sachant que x représente le rapport de composition de nickel, en % ; y représente le rapport de composition de bore, en %; et z représente le rapport de composition d'aluminium, en % et l'équilibre du matériau de câble de l'alliage à base d'Al comprend de l'azote.
(JA) 本発明は、薄膜トランジスタを備える表示デバイスにおいて、n-Siなどの半導体層とも直接接合が可能なAl系合金配線材料を提供する。本発明は、アルミニウムにニッケルとボロンとを含有したAl系合金配線材料において、窒素(N)を含有することを特徴とする。また、その窒素含有量は、2×1017atoms/cm以上9×1021atoms/cm未満であることが好ましい。ニッケルの組成割合xat.%、ボロンの組成割合yat.%、アルミニウムの組成割合をzat.%とし、x+y+z=100と定義した場合、式0.5≦x≦10.0、0.05≦y≦11.00、y+0.25x≧1.00、y+1.15x≦11.50の各式を満足し、残部に窒素が含有されているAl系合金配線材料であることが好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)