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1. (WO2008050662) プラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/050662    国際出願番号:    PCT/JP2007/070314
国際公開日: 02.05.2008 国際出願日: 18.10.2007
IPC:
C23C 14/24 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), H01J 17/49 (2012.01), H01J 9/02 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IIJIMA, Eiichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAKOMORI, Muneto [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IIJIMA, Eiichi; (JP).
HAKOMORI, Muneto; (JP)
代理人: OMORI, Junichi; 4th Floor, Matrice Bldg. 2-13-7, Minamiaoyama Minato-ku, Tokyo 1070062 (JP)
優先権情報:
2006-292962 27.10.2006 JP
発明の名称: (EN) PLASMA DISPLAY PANEL MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FABRICATION D'ÉCRAN À PLASMA
(JA) プラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造装置
要約: front page image
(EN)Provided is a plasma display panel manufacturing method which simplifies a manufacturing step by lowering a film formation temperature so as to easily obtain an oriented MgO film as a protection layer. Moreover, the manufactured device has a simple structure so as to reduce the tact time. The method is used for manufacturing a plasma display including a front substrate having a scan electrode, a sustain electrode, a dielectric layer, and a protection layer; and a back substrate having an address electrode, a barrier rib, and a fluorescent body. The temperature of a front glass substrate before deposition by an electron beam deposition device is kept at a normal temperature (120 degrees C or below) and the MgO film formation speed of the electron beam deposition device is set not smaller than 8000Å m/min. By the film formation at the normal temperature, it was possible to obtain an MgO film equivalent to the film formation at a high temperature.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'écran à plasma qui simplifie une étape de fabrication en abaissant une température de formation de film de manière à obtenir facilement un film de MgO orienté comme couche de protection. En outre, le dispositif fabriqué possède une structure simple de manière à réduire le temps takt. Le procédé est utilisé pour fabriquer un écran à plasma incluant un substrat avant possédant une électrode de balayage, une électrode de maintien, une couche diélectrique et une couche de protection ; et un substrat arrière possédant une électrode d'adresse, une nervure barrière et un corps fluorescent. La température d'un substrat de verre avant avant la déposition par un dispositif de déposition par faisceau électronique est maintenue à une température normale (120 degrés C ou moins) et la vitesse de formation de film de MgO du dispositif de déposition par faisceau électronique est réglée de manière à ne pas être inférieure à 8000 Å m/min. Par la formation de film à la température normale, il a été possible d'obtenir un film de MgO équivalent à la formation de film à une température élevée.
(JA) プラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、保護層としての(111)配向したMgO膜を容易に得られるように、成膜温度を下げて製造工程を簡素にする。また、製造装置を簡単な構造にしてタクトタイムを短縮する。  走査電極、維持電極、誘電体層及び保護層から成る前面基板とアドレス電極、バリアリブ及び蛍光体からなる背面基板から構成されているプラズマディスプレイの製造方法において、電子ビーム蒸着装置での蒸着の前のガラス基板の温度を常温(120°C以下)にし、且つ前記電子ビーム蒸着装置のMgO成膜速度を8000Å・m/min以上とする。常温での成膜で、従来の高温での成膜と同等のMgO膜が得られた。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)