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1. (WO2008050596) プラズマドーピング方法及びプラズマドーピング装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/050596    国際出願番号:    PCT/JP2007/069472
国際公開日: 02.05.2008 国際出願日: 04.10.2007
IPC:
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/00 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKUMURA, Tomohiro; (米国のみ).
NAGAI, Hisao; (米国のみ).
SASAKI, Yuichiro; (米国のみ).
OKASHITA, Katsumi; (米国のみ).
ITO, Hiroyuki; (米国のみ).
MIZUNO, Bunji; (米国のみ)
発明者: OKUMURA, Tomohiro; .
NAGAI, Hisao; .
SASAKI, Yuichiro; .
OKASHITA, Katsumi; .
ITO, Hiroyuki; .
MIZUNO, Bunji;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg. 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2006-290332 25.10.2006 JP
発明の名称: (EN) PLASMA DOPING METHOD AND PLASMA DOPING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE DOPAGE PAR PLASMA ET APPAREIL DE DOPAGE PAR PLASMA
(JA) プラズマドーピング方法及びプラズマドーピング装置
要約: front page image
(EN)Before plasma doping treatment, plasma comprising gas containing an element belonging to the same group of the periodic table as a main element constituting a silicon substrate (9), for example, plasma of a monosilane gas, is generated within a vacuum vessel (1) to cover the inner wall of the vacuum vessel (1) with a silicon-containing film. Thereafter, the silicon substrate (9) is subjected to plasma doping treatment.
(FR)Dans le cadre de la présente invention, avant le traitement de dopage par plasma, un plasma comprenant un gaz qui contient un élément qui appartient au même groupe de la table périodique qu'un élément principal qui constitue un substrat de silicium (9), par exemple un plasma d'un gaz de monosilane, est généré à l'intérieur d'un récipient sous vide (1) pour couvrir la paroi intérieure du récipient sous vide (1) avec un film qui contient du silicium. Après cela, le substrat de silicium (9) est soumis à un traitement de dopage par plasma.
(JA) プラズマドーピング処理の実施前に、真空容器1内に、シリコン基板9を構成する主要元素と周期律上で同属の元素を含むガス、例えばモノシランガスからなるプラズマを発生させる。これにより、真空容器1の内壁をシリコン含有膜によって被覆する。その後、シリコン基板9に対してプラズマドーピング処理を実施する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)