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1. (WO2008050524) 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/050524    国際出願番号:    PCT/JP2007/066094
国際公開日: 02.05.2008 国際出願日: 20.08.2007
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/20 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKANO, Kiyotaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
URANO, Masahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HOSHI, Ryoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKANO, Kiyotaka; (JP).
URANO, Masahiko; (JP).
HOSHI, Ryoji; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2006-288360 24.10.2006 JP
発明の名称: (EN) APPARATUS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL
(FR) DISPOSITIF DE PRODUCTION D'UN CRISTAL UNIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CRISTAL UNIQUE
(JA) 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)This invention provides an apparatus for producing a single crystal and a method for producing a single crystal. The apparatus is provided with at least a chamber dividable into a plurality of parts, for producing a single crystal by a Czochralski method. At least one of the plurality of the divided chambers has a flow path for a circulating cooling medium in which the circulating cooling medium for cooling the chamber is circulated, and means for respectively measuring inlet and outlet temperatures in the flow path for the circulating cooling medium and the flow rate of the circulating cooling medium. In the apparatus for producing the single crystal and method for producing the single crystal using this apparatus, a calculating means for calculating the quantity heat removed and/or the proportion of the quantity of heat removed from the chamber, base on the measured values of the inlet temperature and outlet temperature and flow rate of the circulating cooling medium, is provided. Further, pull-up speed control means for controlling the pull-up speed of the single crystal based on the calculated quantity of heat removed and/or the proportion of heat removed is also provided. The above apparatus for producing a single crystal and method for producing a single crystal can produce a single crystal while easily stabilizing the quality of the crystal.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de production d'un cristal unique et un procédé de production d'un cristal unique. Ce dispositif est équipé d'au moins une chambre divisible en une pluralité de parties, pour la production d'un cristal unique par le procédé de Czochralski. Au moins l'une de la pluralité des chambres obtenues par division comporte une voie d'écoulement permettant la circulation d'un liquide de refroidissement, voie dans laquelle on fait circuler ledit liquide de refroidissement pour refroidir la chambre, ainsi qu'un dispositif permettant de mesurer respectivement les températures d'entrée et de sortie au niveau de la voie d'écoulement du liquide de refroidissement en circulation et le débit du liquide de refroidissement en circulation. Dans le dispositif de production du cristal unique et dans le procédé de production du cristal unique au moyen dudit dispositif, est proposé un outil de calcul permettant de calculer la quantité de chaleur éliminée et/ou la proportion de la quantité de chaleur éliminée de la chambre, sur la base des valeurs mesurées concernant les températures d'entrée et de sortie, ainsi que du débit du liquide de refroidissement en circulation. En outre, est également prévu un dispositif de régulation de la vitesse d'arrêt pour réguler la vitesse d'arrêt du cristal unique sur la base de la quantité de chaleur éliminée calculée et/ou sur la base de la proportion de chaleur éliminée. Le dispositif ci-dessus de production d'un cristal unique et le procédé ci-dessus de production d'un cristal unique permettent de produire un cristal unique en stabilisant facilement la qualité dudit cristal.
(JA) 本発明は、少なくとも、複数に分割可能なチャンバを具備し、チョクラルスキー法により単結晶を製造するための単結晶製造装置であって、前記複数に分割されたチャンバのうち少なくとも1つは、該チャンバを冷却する循環冷却媒体が流通する循環冷却媒体用流路と、前記循環冷却媒体の、前記循環冷却媒体用流路における入口温度及び出口温度並びに循環冷却媒体流量を測定するそれぞれの測定手段とを有するものであり、前記入口温度及び出口温度並びに循環冷却媒体流量の測定値から、前記チャンバからの除去熱量及び/または除去熱量の割合を算出する演算手段と、該算出した除去熱量及び/または除去熱量の割合に基づいて単結晶の引上げ速度を制御する引上げ速度制御手段とを具備する単結晶製造装置及びこれを用いて行う単結晶の製造方法である。これにより、結晶品質を容易に安定させて単結晶を製造するための単結晶製造装置及び単結晶の製造方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)