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1. (WO2008050476) エピタキシャルシリコンウエーハの製造方法及びエピタキシャルシリコンウエーハ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/050476    国際出願番号:    PCT/JP2007/001143
国際公開日: 02.05.2008 国際出願日: 19.10.2007
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 25/12 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHNISHI, Masato [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ARAI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHNISHI, Masato; (JP).
ARAI, Takeshi; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F 6-11, Ueno 7-chome Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2006-292577 27.10.2006 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER, AND EPITAXIAL SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM ÉPITAXIALE ET PLAQUETTE DE SILICIUM ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャルシリコンウエーハの製造方法及びエピタキシャルシリコンウエーハ
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing epitaxial silicon wafers includes a natural oxide film removing step and an epitaxial growth step. In the method, an epitaxial silicon layer is grown by using a susceptor whereupon many through holes are formed and by having a rate of a hydrogen gas flow quantity to a material gas flow quantity in the epitaxial growth step satisfy the inequality of hydrogen flow quantity (slm)/material gas flow quantity (slm) ≥4. Thus, when the susceptor having many through holes is used for manufacturing the epitaxial silicon wafer, nanotopological unevenness generated on a second main surface can be reduced.
(FR)Procédé de fabrication de plaquettes de silicium épitaxiales comprenant une étape consistant à éliminer une couche d'oxyde naturel et une étape de croissance épitaxiale. Dans ce procédé, une couche de silicium épitaxiale est cultivée au moyen d'un suscepteur à travers lequel sont percés de nombreux orifices, le rapport entre le débit d'hydrogène gazeux et le débit de gaz lors de l'étape de croissance épitaxiale satisfaisant à l'inégalité : débit d'hydrogène (slm)/débit de gaz (slm) ≥ 4. Ainsi, lorsque le suscepteur percé de nombreux orifices est utilisé pour la fabrication de la plaquette de silicium épitaxiale, l'irrégularité nanotopologique générée sur une seconde surface principale peut être réduite.
(JA) 本発明は、自然酸化膜除去工程とエピタキシャル成長工程とを含むエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法において、多数の貫通孔が形成されているサセプタを用い、前記エピタキシャル成長工程において流す水素ガスの流量と原料ガスの流量との比を、水素流量(slm)/原料ガス流量(slm)≧4としてエピタキシャルシリコン層の成長を行うエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法である。これにより、エピタキシャルシリコンウエーハを製造する際に多数の貫通孔を有するサセプタを用いた場合に、第二主表面に生じるナノトポロジーの凹凸が発生することを低減することができるエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)